中古 NIKON NSR 2205 i11D #9174897 を販売中
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ID: 9174897
ウェーハサイズ: 2"- 4"
Stepper, 2"-4"
Specification:
Expose area:
28.28 mm Φ
20.0 * 20.0
19.61 * 20.40
Resolution: 0.5
DOF: Within +/- 2.0µm
Lens distortion:
Min X.-0.063µm Y:-0.089µm
Max X:0.028µm Y:0.068µm
Illumination uniformity conv (ID1): 1.495%
Integrated exp controller: 0.30%
Wafer holder flatness: 1.02µm
Leveling:
X -1.058sec Y: -0.016sec
R 0.736sec P: -0.759sec
Auto focus stability: Within +/- 0.4µm
Reticle blind:
XL:0.6 mm XR:0.65 mm
YL:0.5 mm YU:0.55 mm
Array orthogonality: 0.013 Sec
Stepping accuracy(STEP): X:0.082/*n Y: 0.055µm (3)σ
Reticle rotation(ABS/Rep): 0.003µm
Overlay accuracy: Mean +3σ<0.18µm
Defocus rate < 6.0%
Wafer load type: Type ll
Reticle size: 6"
Wafer type: Flat
Chuck size: 2"- 4"
Currently installed.
NIKON NSR 2205 i11Dは、半導体デバイスの製造に使用するために設計された高度な分子ステッパー装置です。この第5世代のNIKONウェーハステッパーは、最小25nmの画像サイズを実現することができます。包括的な高性能機能を提供し、最新のナノファブリケーション技術の要求に応えることができます。このシステムは、超解像度0。31の優れた光学分解能と最小オーバーレイ精度0。8nmを提供します。デュアルモードフィールドスイッチングユニットを搭載し、最適な解像度を維持しながら露光時間を短縮できます。これは、NIKON i-Toneフィールド強化イメージング技術によって実現されます。このマシンは、シングルモード、コンタクトモード、深紫外線など、さまざまな露出モードを備えた柔軟なイメージングプラットフォームを提供します。また、NA値0。135までの高解像度DUVレンズにも対応しています。これにより、ナノメートルの寸法を持つ可能性のある構造を高精度にイメージングできます。このツールのSub-10nm Pattern Controlは、正確なパターン最適化を提供します。これは、独自のウェーブフロント制御技術によって実現され、ナノメートルレベルで光線を形成するために使用されます。これにより、サブミクロンデバイスの製造におけるNIKON NSR-2205I11Dの精度と能力が向上します。NSR 2205I11Dは、高性能低粒子生成(LPG)ステージを提供しています。このアセットは、露出またはアライメント活動中のウェーハの粒子汚染を最小限に抑え、デバイスの歩留まりを改善し、重要なコンポーネントの寿命を延ばすのに役立ちます。また、NIKON独自のフィールドイメージング装置(FIS)技術により、表面の正確な立体画像を作成することができます。これは、最終製品の精度と品質を向上させるために、リソグラフィ用途で利用されています。全体として、ニコンNSR 2205 I 11 Dシステムは非常に強力で高度なウェーハステッパーです。優れたイメージング機能、正確なパターン制御、最小限の粒子生成を提供します。その能力は、精密なパターン印刷、信頼性の高いアライメント、ナノスケール構造の正確なイメージングを提供する、半導体製造活動のための貴重なツールとなります。
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