中古 ASML PAS 5000 / 50 #293620128 を販売中

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ID: 293620128
ウェーハサイズ: 6"
ヴィンテージ: 2005
Stepper, 6" Chiller Light source wavelength: 365 nm Numerical aperture: 0.48 Resolution: 0.5 μm Depth of focus: 1.2 μm Maximum exposure area (X / Y): 16 mm / 20 mm Exposure intensity: 553 mW/cm² Uniformity of light intensity: 2.45% Transfer rate: ≥120 mm/s CD Uniformity (Max-Min): ≤0.10 µm Stage flatness: -0.1 μm/cm Engraving precision (X / Y): 88 nm / 62 nm Engraving method Mask plate size: 5009 Mask switching time: 32s (with alignment action) Mask plate cassette: 2-SMIF box (4) Wafer stages Exposure platform Electric cabinet Transfer unit PC Power supply Projection and expose lens Focus system Electronics cabinet: Lamp power VME MIOS1 MIOS2 VRS HP Rack Control systems: Valve Sensor Reducer Wafer handling: Send unit Receive unit per-alignment levelling device Dipod Discharge Reticle handling: Library Per-alignment Barcode UV Lighting system: Lamp housing Mirror Lens Filter Shutter Stage movement: Stator Linear motor Laser interferometer and source Alignment system 2005 vintage.
ASML PAS 5000/50は、半導体製造で使用される高度なリソグラフィープロセス用に設計された、高精度で自動化されたウェーハステッパーです。電極彫刻プロセスの高感度処理と高解像度イメージングにより、複雑な3D構造のシリコンウェーハ上で極めて精密な顕微鏡画像を実現します。ASML PAS 5000/50は、12ナノメートルの精密な分解能を可能にする4k高度なイメージング装置を備えています。オンボードの光学位置決め技術は、ウェーハの位置をナノメートルの精度で把握し、毎回正確な結果を得ることができます。また、統合された「リアルタイム機能」を備えており、さまざまな深さの構造を測定できるため、リソグラフィープロセスの重要な段階での反復回数が減少します。PAS 5000/50はまた、効率的な操作のための高速処理速度を持っています。高度なアルゴリズムにより、処理時間を最大30%短縮し、リソグラフィープロセス全体を大幅に高速化できます。同時に、ランタイムに関係なく一定の精度を保証するように設計されています。PAS 5000/50は非常に安定しているように設計されており、その空気振動抑制システムは気流ノイズを排除します。また、ウェハトランスポートユニットは、ウェハトランスポートユニットを設計しており、ウェハトランスポートユニット内の繊細な部品へのストレスを防ぎます。最後に、このマシンのユーザーフレンドリーな制御プログラムは、オペレータが最小限の労力でデバイスを便利に制御できるように設計されています。結論として、ASML PAS 5000/50は高度なイメージング機能と正確な解像度を備えた高効率の自動ウェーハステッパーです。その高速処理と安定した設計により、最小限の労力で高速で正確な結果を得ることができます。極めて精密なリソグラフィ技術を提供することで、最新の半導体製造に最適です。
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