中古 HOFFMAN PR-1 #293822979 を販売中

HOFFMAN PR-1は、半導体シリコン、化合物、COI （Compound-on-Insulator）ウェーハに使用するために設計された高精度で頑丈な研磨および研磨装置です。低K （K値 1。3K Ω/V以下）、電導、高度ダイヤモンド研磨など、業界標準の研磨・研磨が可能です。HOFFMAN PR1によって生成される電気特性と表面プロファイルも、リソグラフィープロセスに非常に適しています。PR-1の中心は正確な制御、オートメーションおよび均一な粉砕および磨くことを可能にする3段階プロセスです。このプロセスは、2つの研削ステージと1つの研磨ステージで構成されており、各ステージには個別の研削パラメータがあり、プロセス仕上げの所望のグレードを達成することができます。研削の最初の段階は、ダイヤモンドワイヤーソーまたは研削ホイールの使用を含みます。この段階は荒削りのために使用され、ウエハの全体的な形を定義します。ダイヤモンドワイヤーソーは、0。1 mmから1 mmまで、用途に必要な表面プロファイル深度を生成することができます。研削の第二段階は、固定研削ホイールまたは研磨機の使用を含みます。このステージは表面仕上げを微調整するために使用されます。固定研削ホイールまたはポリッシャーを使用すると、特に複雑なプロセスを達成しようとするときに、マイクロプロファイルの不規則性、粒度、および表面粗さの変調を可能にします。プロセスの最後の段階は磨く段階です。この段階では、ウェーハにシリコン粒子またはダイヤモンド粒子のスラリーを噴霧し、軌道パターンで穏やかに移動します。この研磨ステージは、ウェーハの表面を滑らかにし、高精度な平坦性を実現するように設計されています。PR1は、幅広いウェーハ研削、ラッピング、研磨用途に理想的な機械です。プロファイル精度、表面粗さ、および完成ウェハの電気特性を制御する機能をユーザーに提供します。このツールは、半導体ウェーハ製造や高度なリソグラフィなどの研究分野での使用に最適です。