中古 MRC 943 #9227138 を販売中
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ID: 9227138
Sputtering system
Compressor
Mech pump
System hardware:
MRC Load lock assembly
CTI CT-8 Cryo pump:
Load lock
Process chamber
(3) SIERRA Scientific planar 5"x15" cathodes
(3) Target shielding sets
ADVANCED ENERGY MDX-10 DC Power supply: 10 kW
MRC Hivac valve
With MRS throttle valve assembly
(3) MKS MFC
MKS 390 Baratron assembly
MRC Hydraulic system
Etch:
ENI OEM-12A RF Generator
ENI Matchwork 10 RF Matching unit
Rack hardware:
GOULD / MODICON PLC Controller
GP-303 IG Controller
MKS 252 Throttle valve controller
MKS 247 MFC Controller: 4 Channels
(5) GP-275 Convectrons
TCR DC Voltage power supply (MRC Rail bias).
MRC 943は、基板表面に薄膜を堆積させるために使用されるスパッタ装置です。ターゲットの小さな部分を取り除き、基板に堆積するために、高エネルギー粒子でターゲット材料を爆撃することによって機能します。このシステムは、スパッタリング源とターゲットカソード、低圧環境を維持するための真空ポンピングユニット、電流を制御するための電源セット、プロセス温度コントローラで構成されています。ターゲットは通常、金属、合金、セラミックス、ミネラルなど、さまざまな材料で作られています。通常、スパッタの収量を増加させるために高温に加熱されます。ターゲット材料をスパッタするために使用される高エネルギー粒子は、マグネトロン源またはRF源のいずれかから来ることができます。このプロセスは、沈着速度を制御するために幅広い圧力で実行することができます。スパッタリングチャンバー内の真空環境は、潜在的に発生する可能性のある競合反応の数を制限することにより、スパッタ材料の収率を最大化するのに役立ちます。圧力は通常、圧力測定ユニットである1ミリトール以下に維持されます。また、プロセス温度は温度コントローラを介して調整することができ、スパッタリングプロセスははるかに高い速度で発生することができます。基板とターゲットに印加される電流を制御するために、機械は一連の電源を使用します。電源は、定電流モードまたはパルス電流動作モードのいずれかを提供するようにプログラムすることができます。定常モードでは、電源はターゲットおよび基板材料に連続的な途切れない電流を供給することができ、基板全体に均一な蒸着を可能にします。パルスモードでは、電源は急速に電流のオンとオフを切り替えることができ、高度に制御された堆積を可能にします。943は、基板上に薄膜を堆積させるための高効率で精密なツールです。高いスパッタ歩留まりと正確な温度および圧力制御により、半導体や固体デバイスの製造、マイクロエレクトロニクス、光学、フラットパネルディスプレイの製造など、幅広い用途に理想的なスパッタリング資産となります。効率的な操作と堅牢な設計により、MRC 943は信頼性と再現性の高いフィルム堆積物に最適なモデルです。
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