中古 CPA / KURDEX V2000 #9159037 を販売中
URL がコピーされました!
タップしてズーム
ID: 9159037
Sputtering system
Process chamber:
Dimensions: 29.625” H x 9.5” W x 26.25” L
Chambers capable of 600 mm x 600 mm
(3) Process chambers with viewing windows
Entry: (1) Chamber
Deposition: (2) Chambers
(1) Load lock valve
Pumping port: CF-275 flange for RGA
Pumping ports for chamber with frame base plate
Standard modules
With up to (4) cathode positions per module
Cryopumped process chamber
Cryopumped load locks
(2) Sets shielding
RGA Port
DC and RF in any mix
Sputter single side or double side
Vacuum performance:
Ultimate pressure:
2 x 10(-7) in 16 hrs
5 x 10(6) in 30 minutes
Rate of rise: 1 x 10(-4) 6 minutes
Utility requirements:
Water:
4 GPM @ 65 PSI per Deposition / Heater position
Power:
208 VAC 3Ø, 60 Hz, 5 wire, 80A
Gas:
Compressed air: 80 PSI min, 90 PSI max
Vent gas (Nitrogen): 10 PSI min, 15 PSI max
Process gas (Argon): 20 PSI min, 25 PSI max
Doors with no cathodes
Hivacs
Cryos
Throttle valves
Load lock valve
Track assembly.
CPA/KURDEX V2000スパッタリング装置は、薄膜をさまざまな基板に堆積させるために使用される高度なスパッタリングツールです。この強力なツールは、三相AC電源によって駆動されます。独自の高真空マルチトーラスパッタリング真空チャンバーを使用しており、1E-5 Torr以下の圧力で動作し、最大3つの別々のソースで異なるフィルムを同時にスパッタできます。CPA V2000は蒸発源と独立したスパッタリング源を提供しており、どちらも基板を移さずに同じチャンバーから基板にフィルムを堆積させることができます。蒸発源は、セラミックフィラメントを使用して、厚さ、材料組成、屈折率を通常1,200〜5,200 nmの精密な単層または多層膜を堆積させます。スパッタ源は、4つのトロイダル磁石の配列と、最大4つのスパッタ源に電力を供給することができる円柱アノードで構成されています。このスパッタソースは0〜100％のリニアパワーコントロールを備えており、スパッタリングプロセスをより大きな制御できます。また、KURDEX V2000は、スパッタガン/マテリアルの幅広い組み合わせを提供し、優れた特性を持つ材料の生産を可能にします。スパッタシステムにはロードロック技術も搭載されており、異なるチャンバ間を切り替えることで高真空環境を維持することができます。これは、チャンバーの圧力を可能な限り安定したレベルに調整し、堆積膜の汚染を防ぐのに役立ちます。V2000はまた敏感なフィルムの沈殿プロセスを動かすとき精密な温度調整を可能にする室内温度調整装置が装備されています。CPA/KURDEX V2000は、優れた特性と優れた精度で幅広いフィルムを生産することができる強力で精密なスパッタリングマシンです。その洗練されたデザイン、強力なコンポーネント、革新的な技術により、CPA V2000は様々な用途に適した高品質の薄膜を製造するための理想的な選択肢となっています。
まだレビューはありません