中古 ALLWIN21 AW 903e #9201821 を販売中
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ID: 9201821
ウェーハサイズ: 3"-6"
TTW Plasma etcher, 3"-6"
Wafer loading: 3-Axis robot
Stationary cassette plate
Plasma power: RF 13.56 MHz
Type: Parallel / Single wafer process
Through the wall (TTW)
Gas lines: 1-3 Lines
Throughput: 30-60 WPH, Process dependent
Temperature: 6-65ºC (±2 ºC) Capability
Gas lines: (4) Gas lines with MFCs
Etcher rate:
AW-901eR: 0-8000A / minute
AW-903eR: 0-4000A / minute
Process dependent
Uniformity: Up to ±3%, Process dependent
Particulate: <0.05 / cm2
Selectivity:
901eR: 2-20:1
AW-903eR: 2-20:1
Process dependent
MTBF / MTTA / MTTR: 450 Hours / 100 Hours / 3.5 Hours
Options:
EOP Module with PCB
GEM/SECS II Function
Lamp tower alarm with buzzer
Throttle valve pressure control
Vacuum pump
Chiller for chuck and chamber
Through the wall
Main frame, standard
Pentium class PC with
Keyboard
Mouse
USB
SW Backup
Cables
Chuck:3"-6"
Wafer aligner / Cooling station
3-Axis integrated solid robot:
H-Zero (Standard)
H1-7 x 10.5 (TTW)
Fixed cassette station:
Chuck assembly
901eR Non-anodized
903eR Anodized with flat
903eR Anodized with flat
903eR Non-anodized with flat
Reactor Assembly:
901eR Non-anodized
903eR Anodized
903eR Non-anodized
903eR High performance
Direct cooling
Non direct cooling
Pins:
Quartz
Ceramic SST
Centering ring:
Aluminum
Ceramic
Main control board:
Gas box with (4) inline gas lines, MFC, filters, and pneumatic valves
RF Matching network with PCB
RF Generator: 13.56 MHz
MKS Elite: 300 HD
MKS Elite: 600 HD
MKS Elite: 1000 HD
ENI ACG 3
ENI ACG 10
AC / DC Box
ATM Sensor
UPC Pressure control
225 SCCM: 901eR
2000 SCCM: 903eR
MKS Baratron with peumatic Iiolation valve
Main vacuum valves
Front EMO interlocks
Touch screen GU, 15"
AW-901eR AW-903eR
Material Etched Polysilicon / Nitride Oxide,SOG,Nitride
Main etchant gases SG6, O2 / SF6,O2 CHF3,SF6,He
Other gases CHCLF2 / None None
Pressure (mTorr) 200-450 / 250-350 1600-3000
RF Power (Watts) 100-250 / 200-300 400-600
Temperature (C) 30 / 30 23
AC Power:
AC Module: 200-240 VAC Selectable, 50/60 Hz, 3-wire single-phase
Temperature controller: 200-240 VAC, 50/60 Hz, 3-wire single-phase
Vacuum pump: 208-230 / 460 VAC, 60 Hz or 200-220 / 380 VAC, 50Hz, 3 Phase
RF Generator: 200-240 VAC
PC / Monitor: 115 VAC
Cabinet exhaust: 100 cfm.
ALLWIN21 AW 903eは半導体産業のために設計された高性能の急速な熱プロセッサ（RTP）です。ウェーハや基板の温度上昇/ダウン処理、レーザーやイオンインプラントに最適です。AW 903eは900°Cまでの温度および急速な傾斜率（100°C/secへの800°C/sec）で精密な熱制御を提供します。ALLWIN21 AW 903eは、基板の精密な温度制御を可能にする大きな熱質量を持つ二重壁の冷却装置を利用しています。高精度レートゾーン（HARZ）温度制御を備えており、HARZでの使用時間に基づいて基板に正確な熱影響を与えることができます。AW 903eには、バッチ間でチャンバをクリーニングする際のダウンタイムを最小限に抑えるように設計された、完全自動化されたプロセスチャンバ洗浄システムも装備されています。部屋はH2O2、乾燥した窒素、または他のどの適した洗浄液でもきれいにすることができます；クリーニングはまた手動で行うことができます。ALLWIN21 AW 903eはステンレス鋼のキャビネットに、使いやすいインターフェイスおよび完全なプロセス制御を提供するコンピュータ制御コンソールと収容されます。このコンソールでは、パラメータ値の設定、サーマルプロファイルのカスタマイズ、プロセスシーケンスの定義が可能です。さらに、AW 903eは遠隔操作を可能にし、ユニットを制御するための便利で安全で信頼性の高い方法を提供します。安全のために、ALLWIN21 AW 903eには、不活性ガスのパージ、緊急シャットオフスイッチ、迅速な減圧のための圧力弁、および温度オーバースイッチなどの高度な安全機能があります。その他の機能としては、プロセスの目視検査を可能にする複数の光学窓を備えたチャンバー、チャンバの圧力と温度を通常の動作レベルに戻すための自動リセットスイッチがあります。AW 903eは半導体処理に理想的な急速熱処理装置（RTP）です。精密な熱制御、急速なランプレート、および完全に自動化されたチャンバークリーニングマシンを提供するため、ウェーハおよび基板加工に最適です。高度な安全機能は、プロセッサを使用しながらも安心して使用でき、コンソールは簡単にカスタマイズ可能な熱プロファイルとプロセスシーケンスを可能にします。
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