中古 EATON NOVA / AXCELIS NV 10-80 #9227038 を販売中

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ID: 9227038
Implanter Specifications: System characteristic / Design specification (1978) / Performance specification (1982) Energy / 10-60 keV / 5-80 keV Beam current P,As 60-80 keV / 10 mA / 12.5 mA 40 keV / 10 mA / 10.0 mA Sb 40-80 keV / 5 mA / 6.0 mA B 40-80 keV / 5 mA / 4.0 mA Throughput P,As Up to 3E15, 3" / 300 / 235 100 mm / 200 / 350 125 mm / - / 175 1E16, 3" / 150 / 190 100 mm / 100 / 125 125 mm / 70 / 88 B up to 1E15, 3" / 300 / 330 100 mm / 200 / 230 125 mm / 150 / 165 1E16, 3" / 80 / 80 100 mm / 50 / 50 125 mm / 30 / 33 Doping uniformity: 1σ across wafer, 5" / 0.75 / 0.5 Doping reproducibility: 1σ wafer to wafer / 0.5 / 0.5 Ion mass range / 1-150 / 1-130 Ion mass resolution M/∆M fwhh / 65c / 75 Wafer cooling / 140°C @ 600W / 100°C @ 1200W Facilities requirements: Power: 30 kVA Air: 100 PSI, 4 cfm N2: 5 PSI, 0.14 cfm H2O: 40 PSI, 5 gpm Exhaust: 1000 cfm 2000 vintage.
EATON NOVA/AXCELIS NV 10-80イオンインプランターとモニターは、イオンを基板に埋め込むために設計された強力で信頼性の高いデバイスです。このデバイスは、ホウ素、ヒ素、リン、アンチモン、硫黄などの幅広いイオンを埋め込むことができます。それはプロセスの精密な制御を提供し、容易で、正確な操作を容易にするさまざまな部品が装備されています。AXCELIS NV 10-80は、ウェーハステージ、イオンソース、モニターの3つの主要部品で構成されています。ウェハステージは、着床時の基板の位置を制御するために使用され、イオンを正確かつ再現可能に配置できます。マグネトロンカソードと電子銃で構成されるイオン源は、基板に向かってイオンを生成し加速するために使用されます。固体検出器で構成されたモニターは、着床プロセス中のイオンのフラックスを測定します。EATON NOVA NV 1080は、移植プロセスを自動化するコンピュータ制御システムを使用して動作します。イオンタイプ、イオンエネルギー、イオンストライクレート、線量レベル、ウェーハ位置決めなど、多くのパラメータを制御できます。これにより、正確な着床結果が保証され、ユーザーは着床効率と精度を最適化することができます。また、インターロックやパワーレベルの制限などの安全機能も備えています。NV 1080は、半導体製造、MEMS、 LED、オプトエレクトロニクス、バイオメディカル処理など、幅広い用途向けに設計されています。シリコン、アルミニウム、亜鉛、テルル、チタンなど様々な材料と互換性があり、幅広い着床角度を備えています。EATON NOVA NV 10-80は、優れた着床結果を提供する信頼性の高い強力なデバイスです。自動化されたコンピュータ制御システムにより、正確で正確な着床が保証され、その範囲の機能により、着床効率と精度を最適化できます。多種多様な用途や基材に適しており、イオン注入に適した汎用性の高いデバイスとなっています。
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