中古 PLASMATHERM SLR 770 MF #293763704 を販売中
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ID: 293763704
ヴィンテージ: 2009
Etcher
Wafer stage: 100 mm
Plasma source: ECR
Frequency: 2.4 GHz
Gases: SF6, CF4, CHF3, N2, Ar, H2, O2
2009 vintage.
PLASMATHERM SLR 770 MFは、半導体業界における高性能な半導体エッチングおよびレジストストリッピング用途向けに設計された先進的なプラズマエッチャー/アッシャー装置です。半導体デバイス製造に不可欠な精密かつ再現性の高いエッチング・アッシング工程を実現するため、最先端の技術を取り入れています。プラズマエッチングとアッシャー機能を1つのユニットに組み合わせることで、SLR 770 MFは半導体製造プロセスにおける幅広い用途に対応する汎用性の高いツールとなります。PLASMATHERM SLR 770 MFの中核には、その優れたプラズマ生成および制御機能があります。この機械は、高密度の誘導結合プラズマ（ICP）源を利用して、イオン、ラジカル、中性種からなる非常に反応性の高いプラズマを生成します。このプラズマは、高い選択性と精度で半導体ウェーハ表面から材料を除去することを可能にするため、エッチングおよびアッシュ処理に不可欠です。SLR 770 MFのICPソースは、安定性と均一性を特徴とし、ウェーハ全体で一貫したプロセス結果を保証します。PLASMATHERM SLR 770 MFは、エッチングおよびアッシングプロセスで使用されるプロセスガスを正確に制御することができる洗練されたガス供給ツールを備えています。この資産は、プラズマエッチング工程で一般的に使用されるフッ素系化学物質を含む幅広いガスをサポートしています。ガスデリバリーモデルは、エッチング速度、選択性、均一性などの所望のプロセス条件を達成するために、ガスの正確な流量制御と混合を可能にします。さらに、装置には高度なマスフローコントローラと圧力レギュレータが装備されており、実行から実行までの繰り返し可能なプロセス条件を保証します。エッチング用途向けに、SLR 770 MFは、さまざまな半導体デバイス構造の特定の要件を満たすために、さまざまなエッチング化学およびプロセスレシピを提供します。このシステムは、優れたエッチレート制御とサイドウォールプロファイルの均一性により、高アスペクト比の機能を備えた高解像度のパターン転送プロセスが可能です。エッチング処理は、高度なエンドポイント検出技術を使用してリアルタイムで監視および制御され、ウェーハ全体のエッチング深さと均一性を正確に制御できます。PLASMATHERM SLR 770 MFは、エッチング機能に加えて、レジストストリッピングおよび表面洗浄プロセスの高性能アッシャーとしても機能します。ウエハ表面からフォトレジストなどの有機汚染物質を除去するためのプロセス条件を最適化した専用プラズマアッシングチャンバーを備えています。SLR 770 MFのアッシャー機能は、エッチング後の洗浄や、蒸着やリソグラフィなどの後工程のためのウェーハの準備に不可欠です。全体として、PLASMATHERM SLR 770 MFは、高度なデバイス製造プロセスにおける半導体業界の厳しい要件を満たす汎用性と信頼性の高いプラズマエッチャー/アッシャーマシンです。SLR 770 MFは、高度なプラズマ生成・制御機能、精密なガス供給ツール、カスタマイズ可能なプロセスレシピを備え、次世代半導体デバイスの製造に不可欠な高品質エッチングおよびアッシングプロセスを実現する強力なツールを半導体メーカーに提供します。
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