中古 OXFORD Plasmalab 133 #9090813 を販売中

ID: 9090813
ヴィンテージ: 2004
RIE (CL) Dry etchers CL: Configured for chlorine based corrosive chemistry Set up for GaN etch Platen: 330 mm RF Power: 600 W, 13.56 MHz Water cooled electrode: 10 C-80 C End point detection: Verity optical emission spectroscopy (200-800 nm) Windows PC Gas pod with (6) lines including following MFCs: Ar: 100 sccm CL: 100 sccm BCL3: 100 sccm N2O: 100 sccm 2004 vintage.
OXFORD Plasmalab 133エッチャーは、さまざまな研究および生産アプリケーションで使用するために設計された専用のプラズマエッチングおよびアッシャー装置です。このシステムは、複数のチャンバーと技術を使用して、さまざまなエッチングおよび表面処理プロセスを可能にします。多目的エッチングユニットとして、シリコン、III-V、金属など幅広い基板タイプに使用できます。このマシンは、RFスパッタリングとイオンエッチングの両方をサポートする統合されたRFジェネレータを備えた空冷チャンバー設計で構築されています。高出力のダイレクトRFジェネレータは、スパッタリング用途に最大1kW、イオンエッチング用途に最大500Wの出力を提供します。デュアル周波数RFジェネレータは、デュアル周波数プラズマ動作もサポートしているため、高周波と低周波のソースを切り替えることで、単一のツールでエッチング結果を最適化できます。OXFORD Plasmalab 133は、真空チャンバーに統合されたリアルタイム圧力計を含む高度なプロセス制御技術を備えており、プラズマ処理中の精密な圧力制御を可能にします。不活性ガス弁と流量計も備えており、プロセスガスの組成と圧力を正確に制御することができます。オンボードガス制御資産は、酸素、窒素、アルゴンなどのさまざまなプロセスガスをエッチング工程で使用することができます。また、内蔵の電動サンプルホルダーにより、サンプルの積み下ろしが容易になります。このホルダーには手動のZ軸が装備されており、エッチパラメータを微調整するためにサンプルを上下に移動させることができます。最後に、Plasmalab 133には、プロセスパラメータを正確に制御し、再現性と信頼性の高いエッチング結果を保証する統合コントローラが付属しています。要約すると、OXFORD Plasmalab 133エッチャーは、信頼性の高いエッチングおよび表面処理アプリケーション用に設計された多目的で汎用性の高い機器です。様々なチャンバやプロセス制御技術により、シリコン、III-V、金属など幅広い材料をエッチングすることができます。内蔵の内蔵ガスコントロールユニット、リアルタイム圧力計、デュアル周波数RFジェネレータ、モーター付きサンプルホルダーにより、エッチング結果を正確に制御し、再現可能なエッチングプロセスの最適化を可能にします。
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