中古 OXFORD Plasmalab 133 #293824962 を販売中

ID: 293824962
ウェーハサイズ: 2"-12"
ヴィンテージ: 2013
Reactive Ion Etcher (RIE). 2"-12" Power: 600 W, 13.56 MHz RF Wafer thickness: 0.4 – 1.5 mm Etch rate: GaAs ≥ 10 nm/min ALCATEL / ADIXEN / PFEIFFER ATH 400M Process chamber turbo pump ALCATEL / ADIXEN / PFEIFFER ATP 150 Load lock turbo pump PC Gas cabinet Control system Chiller Gases: Cl₂, 100 sccm BCl₃, 100 sccm CH₄, 50 sccm Ar, 100 sccm NH₃, 100 sccm CHF₃, 200 sccm N₂O, 200 sccm 2013 vintage.
OXFORD Plasmalab 133は、金属、半導体、化合物、ハイブリッドなどの熱および物理エッチングまたはアッシングなどのプロセスに有用で、信頼性が高く効率的なエッチャー/アッシャーです。本装置は、バッチサイズが最大8個のウエハーで、直径200mmまでの基板に使用できます。Plasmalab 133は、プロセス結果の優れた均一性と再現性を提供するチャンバー設計を特徴とし、クリーンで再現性のあるウェーハ処理を保証するガス雰囲気制御システムを備えています。OXFORD Plasmalab 133は1400 WのRF発電機を備え、厚さ0。1〜25ミクロンのエッチング機能を提供します。このユニットにはマスフローコントローラが装備されており、ガスの精密な制御アプリケーションとプロセスガスの外部循環を可能にします。真空および圧力の制御は1mBarの正確さの内で維持することができる統合された真空および圧力制御機械によって行わ±ます。エッチングは、組み込みおよびユーザー定義のレシピを持ち、最大50個のユーザー定義レシピを保存できるツールソフトウェアによって制御されます。Plasmalab 133には、エッチングガスの温度を調節し、入口ガス温度をエッチングチャンバーに制御するために使用される統合チラー/ガス予熱モジュールもあります。チラー/ヒーターは任意の温度にプリセットすることができ、さまざまなプロセスガスと互換性があります。このアセットには、ウェーハサイズの広い範囲に対応できる調整可能な基板ホルダーも備えています。基板ホルダーは、エッチングに最適な位置にウェーハを保持するように設計されています。さらに、OXFORD Plasmalab 133は、プロセスガスのリサイクルと再循環を容易にし、プロセス残留物を排出する統合循環濾過モデルを備えています。この装置には、RFプラズマモニターとエッチング工程を見るための水晶窓も備えています。メンテナンスおよびクリーニングのために、システムには酸素クリーニングユニットと衛生的なフィルターが装備されており、エッチングチャンバー内のクリーンな環境を確保しています。結論として、Plasmalab 133は信頼性が高く効率的なエッチャー/アッシャーであり、幅広い用途に使用できます。機械は使いやすく、優秀なプロセス反復性および均等性を提供できます。さらに、RFプラズマモニター、RFジェネレータ、圧力および真空制御システムなどの統合安全システムを通じて安全な動作が保証されます。
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