中古 ISIS SENTRONICS SemDex A32-34 #9407579 を販売中

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ID: 9407579
ウェーハサイズ: 8"-12"
ヴィンテージ: 2011
Wafer testing and metrology system, 8"-12" Automatic loading (2) Load ports (12" FOUB and 8" Open cassette via 12" Mechanical adaptor) Measurement part: Automated measurement: Substrate / Layer / Total thickness Bow / Warp Mini-bumps / Vias (Micro 3D metrology) and nm roughness Integrated sensor heads: Layer thickness / Bow: StraDex f2 - 80 (Top), StraDex f24 - 300 (Bottom) 3D micro-topography: StraDex a3 (Top, off-center by about 90 mm) Camera function (Top sensor) Autofocus: StraDex a3 (Precision mechanical bearing) StraDex f2 - 80 StraDex f24 - 300 (Air bearing) Anti-vibration plate below chuck Optical wavelengths: Top sensor: 830 nm (Minimum Silicon thickness 2.5 μm) Bottom sensor: 1300 nm (Minimum Silicon thickness 7 μm) Top sensor (Off-center): ~ 500 nm Integrated calibration samples: Thickness sample silicon: 123 μm (Roughness in the several nm level) Thickness sample silicon: 750 μm (Roughness in the several nm level) Step profiles for 3D Micro topography Cross hair for top and bottom thickness sensor alignment Sensor system with (3) StraDex sensor heads (Triple sensor setup): StraDex f2 - 80 (Top): Spot size: 8 μm Autofocus range: 2 - 22 mm Maximum warp: 3 mm Acquisition rate: < 4 kHz Thickness (Undoped silicon): Fast mode: 2.5 - 80 μm Slow mode: 2.5 - 80 μm Thickness (Glass, polymer): Fast mode: 5 - 200 μm Slow mode: 5 - 200 μm StraDex f24 - 300 (Bottom): Spot size: 24 μm Autofocus range: 24 - 44 mm Maximum warp: 2 mm Acquisition rate: < 4 kHz Thickness (Silicon): Fast mode: 8 - 350 μm Slow mode: 8 - 800 μm Thickness (Glass, polymer): Fast mode: 14 - 300 μm Slow mode: 14 - 1000 μm StraDex a3 (Top): Field-of-view: (0.35 mm)² Lateral pixel size: 0.3 μm Working distance: 3.5 mm Autofocus range: 4 mm Maximum Z-height: 60 μm (High-res.) / 120 μm (Low-res.) Repeatability: 0.5 nm (High-res.) Total acquisition time: 2 - 3 sec. Maximum focusing speed: 200 μm/s Surface roughness: Rz < 0.1 μm Confidence range: 2 Sigma Single sensor mode: Absolute accuracy: < ± 0.5 μm Repeatability (Fast mode): < ± 0.1 μm Repeatability (Slow mode): < ± 0.5 μm Twin sensor (Layer thickness) mode: Absolute accuracy: < ± 1 μm Repeatability (Fast and slow mode): < ± 0.5 μm Stage: Maximum X/Y travel range: 300 x 300 mm² Maximum velocity: 30 mm/s Lateral accuracy: 4 μm Maximum height variation repeatable: 2 μm Free positioning via keypads Anti-vibration table Air suspension Perforated vacuum chuck for double side measurements of 6", 8" and 12" unframed and framed wafers 10 mm Holes at 20 mm inter-center spacing Vacuum for wafer suction 3 Lift pins to elevate the wafer (≥ 200 mm in diameter) by 9.5 mm Wafer handling: Up to 60 wafers / hour Single ATM robot with vacuum gripper Pre-aligner OCR reader (Standard: Top scribe readout) General: Industrial computer (2 GHz) with screen Data interface: LAN Fan filter unit, ISO class 10 Temperature: 10°C - 35°C Power supply voltage: 100 V - 240 V, 50-60 Hz Maximum power consumption: 5 kW Sensor missing 2011 vintage.
ISIS SENTRONICS SemDex A32-34は、コンポーネント分析、表面計測、および電気評価用に設計されたウェーハ試験および計測機器です。薄膜・厚膜、モノリシック・エンベデッド回路、ポリシリコンなどの各種ウエハ基板の試験・測定が可能です。SemDex A32-34は完全に自動化された試験および計測システムを組み込み、正確で再現性のある結果を得ることができます。X-Y-Zスキャンステージを採用し、ウェーハ位置の正確な位置合わせと再現性を提供します。このステージは、PCベースのコントローラ(PCBC)によって制御可能であり、ウェーハの最大100の個々の領域をスキャンすることができます。ISIS SENTRONICS SemDex A32-34は、高解像度CMOSカメラや明るい電界顕微鏡を含む高性能の電気光検出パッケージを備えており、単一のウエハの広い領域を検出および分析することができます。このパッケージには、電圧モード特性評価ユニットも含まれており、ウェーハパラメータを正確に測定できます。また、高度なアルゴリズムベースのソフトウェアパッケージを搭載しており、表面計測、フォルト検出、統計プロセス制御など、さまざまな方法でスキャンデータを分析することができます。さらに、このツールはスキャンデータをリアルタイムで可視化し、ユーザーが結果をすばやく確認できるようにします。SemDex A32-34のその他の主要な機能には、4点プローブ測定や電流マッピングなどの幅広い試験および測定機能、および超小型の欠陥や汚染物質を検出するための最先端の画像処理アルゴリズムなどがあります。結論として、ISIS SENTRONICS SemDex A32-34は、正確で反復可能な結果を得るために設計された包括的なウェーハテストおよび計測資産です。完全に自動化されたX-Y-Zスキャンステージ、高解像度イメージングモデル、アルゴリズムベースのソフトウェアパッケージなど、さまざまなウェーハ基板をテストするための高度な機能が組み込まれており、スキャンデータを迅速かつ正確に分析できます。
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