中古 E+H METROLOGY MX 2012-RA-1L #9311190 を販売中

E+H METROLOGY MX 2012-RA-1L
ID: 9311190
ウェーハサイズ: 12"
Wafer measurement system, 12".
E+H METROLOGY E+H METROLOGY MX 2012-RA-1Lは、高度なウェーハ試験および計測機器です。半導体メーカー向けのウェーハ基板の手動または自動測定を可能にし、重要なサイズと位置公差を確実に満たします。このシステムは、正確で一貫した校正と測定のパフォーマンスを実現する自動校正ステージを備えています。また、非破壊検査のためのMEI-CMOS (Micropattern and Electrical Inspection)マシンを搭載しており、測定範囲にかかわらず高い信号対ノイズ比を保証します。これにより、各測定間で比較可能であり、非常に正確な結果を得ることができます。このツールは、産業用IGZOウェーハからマイクロエレクトロメカニカルアセット(MEMS)ウェーハまで、幅広いウェーハを測定できます。測定には、重要寸法、薄膜測定、オーバーレイ測定、マクロ欠陥測定、電気抵抗試験などがあります。また、高精度で精度の高い走査型電子顕微鏡(SEM)を搭載し、幅広い欠陥の特定と正確な測定が可能です。SEMはまた、非常に小さな欠陥を検出するために、最大50,000xの高倍率を持っています。ウェーハや半導体基板などの大型基板では、スピニングディスクポリッシャを使用してプロファイル測定を行うこともできます。これにより、大面積の測定・解析において高精度・高精度を実現します。さまざまな測定に加えて、このシステムは分析およびレポート機能も提供します。監査目的のトレーサビリティおよびトレーサビリティ分析に必要なすべてのデータを含む非常に詳細なレポートを作成できます。また、リムーバブルメディアにデータを保存したり、機械から外部コンピュータにデータをリモート転送したり、インターネットからデータを転送するなど、さまざまなデータ管理機能を備えています。全体として、E+H METROLOGY MX 2012-RA-1Lは、高度で高精度なウェハテストと計測ツールです。正確な測定を可能にする幅広い機能を備えており、監査目的でデータ管理およびレポート機能を提供します。このアセットは、半導体製造および試験に不可欠なツールです。
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