中古 VEECO / EMCORE TurboDisc K465i GaN #9375130 を販売中

ID: 9375130
ヴィンテージ: 2011
MOCVD System 2011 vintage.
VEECO/EMCORE TurboDisc K465i GaN Reactorは、窒化ガリウム(GaN)蒸着用に特別に設計された高性能な蒸着装置です。K465iは10から150nm/分までのレートでGaNを沈殿させることができます。低変動、高均一性、優れた蒸着プロセスの再現性を提供する生産レベルの蒸着システムです。この高度な原子炉は、統合されています、クローズドループ、ガス供給、イオンアシスト、温度制御、およびその場でのプロセス監視。K465iは酸化ベリリウムはさみ金が付いている陶磁器アルミニウム窒化物の陶磁器の基質から組み立てられ、産業適用のために堅く、信頼できるようにします。基板は加熱段に取り付けられ、GaN蒸着を容易にするために1000°Cまで加熱されます。イオンアシストは、蒸着温度を400°C未満に低減し、コンフォーマル蒸着率プロファイルを構築するために使用できます。一体型のクローズドループガス搬送ユニットは、蒸着プロセス中に連続的に発注することで、均一なGaNフィルムを作成することができます。このK465iは、超薄膜と高品質のGaN層を堆積させるために、原子層成分(ALD)、分子層成分(MLD)、プラズマ強化原子層成分(PEALD)などの高度な堆積技術を使用しています。これらの技術は、マルチステムLEDデバイスやハイパワー発熱体などの構造を構築するために使用できます。さらに、PEALDモードでは、最大300nm/分の高い蒸着速度を実現できます。K465iは薄く、良質GaNの層を作り出すための理想的な沈殿機械です。高度なプロセスモニタリング機能により、堆積パラメータを正確に制御でき、統合されたクローズドループガスデリバリツールにより、一貫したGaN蒸着速度と均一性が保証されます。さらに、先進的な原子炉アーキテクチャにより、製品の寿命の信頼性と結果の再現性が保証されます。
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