中古 TEL / TOKYO ELECTRON NT333 #293809047 を販売中

TEL/TOKYO ELECTRON NT333は、高品質で均一な薄膜層とナノ構造層を生成するように設計された3ゾーン並列プレート型化学蒸着炉（CVD）です。TEL NT-333は先端材料研究をはじめ、半導体製造においてゲート酸化物、ゲート誘電体、シールドなどのエピタキシャル層やデバイス層の堆積に使用されています。TOKYO ELECTRON NT 333には3つの異なるプロセス領域またはゾーンがあり、それぞれに異なる動作環境とプロセスハードウェアがあります。最初のゾーンであるプラズマ強化堆積（PED）ゾーンは、化学前駆体が導入され活性化される場所です。このゾーンには、+DC電圧を使用した中央プロセスチャンバー、誘導結合プラズマ（ICP）およびマグネトロンスパッタリングのソース、in-situ分子ビーム源、および化学前駆体のガス入口が含まれています。NT333の2番目のゾーンは、成長または低圧の化学蒸着（LPCVD）ゾーンです。このゾーンは、気相前駆体の分子と処理されるウェーハの表面との間の反応を誘導するように設計されています。これには、圧力制御装置を備えた石英管反応室、ならびに炉の加熱およびマイクロ波放射のための源が含まれています。TEL/TOKYO ELECTRON NT 333の第3ゾーンはポストプロセスゾーンです。このゾーンは、加工されたウェーハを冷却し、その場で乾燥したプラズマベースのチャンバークリーナーでプロセスチャンバーとチャンバ部品を清掃するように設計されています。NT-333の3つのゾーンは真空容器に囲まれており、超高真空（UHV）環境に含まれています。これにより、プロセスで使用されるガスが分離され、汚染されていないままになり、高品質の薄膜蒸着に必要な成長環境とパラメータを正確に制御できます。東京電子NT-333には、成長パラメータとプロセス監視を正確に制御するためのコンピュータ制御システムも含まれています。このユニットには、マシンコントローラ、プログラマブルロジックコントローラ、および制御、データ取得および診断プロセッサが含まれます。コンピュータ制御ツールは、ガス、電力、温度パラメータを正確に制御するだけでなく、各プロセスのステップを正確に監視するようにプログラムすることができます。結論として、東京電子NT333は、高品質で均一な薄膜およびナノ構造層を生成するように設計された高度な平行板型CVD炉です。精密な制御および監視機能、および超高真空環境を備えており、成長パラメータの正確な制御と正確なプロセス監視を可能にします。半導体製造用途に特化して設計されており、先端材料研究など幅広い用途に対応しています。