中古 NOVELLUS CONCEPT 2 Altus #9159135 を販売中
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販売された
ID: 9159135
ウェーハサイズ: 8"
ヴィンテージ: 1999
WCVD Systems, 8"
(2) Chambers
Transport module
Verity end point detectors
RF Match type: Trazar AMU2-1
DCLM Gate valve type: VAT
RF Genertor type: ENI
Brooks robot teach pad
DCLM Robot type: Brooks Mag 5
Transport module
Power box
Cables
Process Kit
C2 PDRS unit
Power requirements: 208V 3 Phase 50/60 Hz
CE Marked
Currently warehoused
1999 vintage.
NOVELLUS CONCEPT 2 Altusは、半導体基板に高度な薄膜を堆積させるために特別に設計されたシングルウェーハ化学蒸着(CVD)原子炉です。それは上限の統合された破片および他の電子装置の製造業で使用されます。この原子炉はプラズマ強化CVD (PECVD)を使用しています。これは、ウェーハ全体に非常に制御された均一な薄膜を作成するプロセスです。プロセスは、高密度のイオン場で満たされた反応チャンバーに入る加熱されたガスから始まります。次に、リアクタントガスをイオンによって注入して減少させ、基板表面に薄膜を形成します。原子炉はターンキーシステムであるように、容易な取付けおよび堅いプロセス制御と設計されています。プロセスパラメータを素早く正確に調整することができ、蒸着サイクルを最小限の生産コストで最適な速度で実行できるようになります。CONCEPT 2 Altusは複数のプロセスチャンバーを実行でき、最高温度は800°Cです。高効率で化学的均一性があり、大きなターゲットカバレッジエリアを備えているため、高度な薄膜蒸着に最適です。原子炉上で実行できるプロセスには、半導体基板のエッチング、成膜、酸化などがあります。さらに、複数のプロセスチャンバーを使用することにより、原子炉はさまざまな同時薄膜蒸着ジョブを実行することができます。また、リアクターには遠隔診断インターフェースが装備されているため、オペレータは遠隔で迅速にシステムを監視およびトラブルシューティングすることができます。NOVELLUS CONCEPT 2 Altusは効率的で高度な原子炉で、SMCなどの半導体基板への薄膜の堆積に最適です。それに全作業表面に堅く、均一な薄膜の沈殿を提供できる高度の温度およびプロセス制御システムがあります。さらに、マルチチャンバー設計により、薄膜成膜を同時に行うことができ、薄膜加工に最大限の生産性を提供します。遠隔診断インターフェイスと最高温度800°CのCONCEPT 2 Altusは、高度な薄膜成膜ジョブに最適なツールです。
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