中古 LAM RESEARCH / NOVELLUS Altus #9098899 を販売中
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販売された
ID: 9098899
ウェーハサイズ: 12"
ヴィンテージ: 2012
CVD System, 12"
Front UI
Signal tower
IOC(AWC AutoCal)
EFEM & vacuum robot AWC
Ceramic end effector
ATM Robot arm type: Friction
VAC Robot & controller: Mag7
VAC Robot arm type: Leap-frog
L/L Pin lift type: Servo motor
EC Controller
Podloader: Vision
Loadlock slit valve type: VAT
Chamber slit valve type: SMC
Main power box: MPD
TM Throttle valve: MKS with controller
TM Gate valve: MDC
L/L Manometer: MKS 100Torr
TM Manometer: MKS 100Torr
Foreline gauge
UPC: BROOKS 5866RT, 3SLM
WTS Ar MFC: Aera, 2SLM
ATM door type: VAT
Data server
IREPD
Throttle valve
Throttle valve controller
Gate valve: VAT
Spindle type (Air or Servo): Servo motor
Pedestal 1 Pin lift type(Air or Servo): Servo motor
F/S Pressure gauge: MKS 10 Torr
F/S Pressure gauge: MKS 100 Torr
Stn#2~4 B/S pressure gauge: MKS 100 Torr
Stn#1 B/S pressure gauge: MKS 100 Torr
IOC's: HDSIOC 0,1 and 2
ALD Valve monitoring kit
Remote plasma source: Astron e/ex
Pedestal
Shower head
UPC : BROOKS 5866RT, 3SLM
Gas box : LRW
MFC:
GF125CXXC
GF125CXXC
MFC K WF6 500
MFC J WF6 500
MFC N 5%B2H6/N2 500
MFC E WF6 500
MFC 5 WF6 500
MFC I NF3 1000
MFC 4 Ar 20000
MFC 3 H2 30000
MFC C Ar 20000
MFC 9 H2 30000
MFC 8 Ar 20000
MFC 1 Ar 5000
MFC 2 SiH4 500
MFC G SiH4 500
MFC F Ar 5000
MFC D Ar 20000
MFC P Ar 20000
MFC B N2 2000
MFC M Ar 20000
MFC X 5%B2H6/N2 750
2012 vintage.
LAM RESEARCH/NOVELLUS Altusは、集積回路や半導体デバイスの製造に使用される多室真空プラズマ化学蒸着（VPCVD）原子炉です。この原子炉は、高度で高性能な構造の大量生産に適しており、極めて均一な厚さの薄膜を堆積することができるため、最先端のマイクロ電子デバイスの製造に最適です。原子炉は、輸送ラインで接続された多数のチャンバーで構成されています。チャンバーには、プリクリーニングチャンバー、CVDチャンバー、エッチングチャンバー、冷却チャンバー、蒸着チャンバーが含まれます。プレクリーニングチャンバーは、スパッタリングによりウェーハ表面の汚れや酸化を除去するのに役立つ特殊な加熱シーケンスを採用しています。これに続いて、モノマーまたは前駆体を含む反応剤がウェーハ表面に堆積するCVDチャンバーが続きます。これに続いて、ウェーハの表面から余分な化学物質を除去し、好ましい形状を実現するプラズマエッチングが行われます。冷却チャンバは、蒸着チャンバに転送する前にウェーハの温度を平衡させるように構成されています。蒸着チャンバーは、一次薄膜蒸着プロセスが行われる場所です。これは、ウェーハ表面に発熱活性ガスの混合物を渡すことによって達成されます。混合物は継続的に監視され、維持されますが、温度、圧力などの条件は厳密に監視され、最適な堆積を保証します。沈着は、望ましい構造に応じて数十ミクロンの厚さのサブミクロンで行うことができます。NOVELLUS Altusは、信頼性と再現性に優れた性能を発揮し、低均一バリエーションと優れた厚さの均一性をサブ15nm解像度に抑えたタイトなプロセス制御を再現します。高度に自動化されたバッチ設計により、ダウンタイムを最小限に抑えて高い生産スループットを実現します。この原子炉はまた、優れたプラズマ制御を誇っており、FinFET、ひずみ層、SOI構造などの高度なデバイスアーキテクチャや構造のための道を開くように設計されています。
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