中古 LAM RESEARCH Altus Max #293610302 を販売中

LAM RESEARCH Altus Maxは、幅広い集積回路やデバイスの製造に使用される半導体ウェーハを処理するための高度な原子炉です。Altus Maxは、高度な金属有機化学蒸着（MOCVD）技術により、優れた性能と能力を提供します。これは、単一のソース・アプローチを使用しているため、単一の前駆体フィード・システムは、より均一で安定したプロセスを作成するために、ソース・ガスとキャリア・ガスの両方を提供します。LAM RESEARCH Altus Maxには独自のウェハローディングトレイが付属しており、現場での交換とより速いローディング時間を可能にします。また、ウエハサイズやプロセス構成の異なるユニバーサルサセプターも備えています。このサセプターにより、ウェーハ全体の温度均一性が向上し、プロセスの歩留まりとスループットの両方が向上します。リスクを低減し、高い歩留まりを維持するために、Altus Maxは手動負荷によってもたらされる潜在的な汚染を排除するロードロックチャンバーを備えています。さらに、デカップリングされた絶縁シリアル（DIS）プロセス制御システムにより、プロセス条件が自動的に最適化され、実行から実行までの最大3シグマの再現性で再現可能な結果が得られます。LAM RESEARCH Altus Maxは使いやすさに優れています。その直感的なグラフィカルユーザーインターフェイス（GUI）は、プロセスパラメータを明確に表示し、手動調整の必要性を低減します。さらに、構成データを迅速に転送するためのレシピライブラリが内蔵されています。長期的な信頼性のために構築されたAltus Maxには、安全なローディングとアンロードのための特許取得済みの自動ウェーハトランスファーアームが付属しています。また、設備性能の正確なメンテナンスと追跡を提供する自己診断システムも含まれており、ユーザーは稼働時間を最大化するためにメンテナンス作業を優先することができます。LAM RESEARCH Altus Maxは、優れたプロセスと歩留まり性能、最適なプロセス制御、優れた使いやすさと信頼性を提供する最先端の原子炉です。これは、高品質の結果と一貫した反復可能な性能を提供する、高度な半導体製造プロセスの広い範囲で使用されるように設計されています。