中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Producer III #9223648 を販売中
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ID: 9223648
ウェーハサイズ: 8"
ヴィンテージ: 2004
Shrink system, 8"
Process: SILCU
CIM
(3) Twin chambers
Hardware configuration:
SMIF: (4) ASSYST Indexers
Handler system:
SMIF Front end robot
VHP Buffer robot
(3) Process chambers
Heat exchanger: Steelhead
High RF generator: (4) RFG 2000-2V
DPA RF Generator: ENI DPG-10
Platform type: Producer shrink
Chamber A & B & C:
Chamber body effective volume (Syscon):
Chamber A: 12980
Chamber B: 13275
Chamber C: 13300
SiH4_H: 1 SLM
SiH4-L: 300 Sccm
NH3 HI: 1 SLM
N2O HI: 3 SLM
N2O LO: 500 Sccm
N2: 10 SLM
NH3: 500 Sccm
Ar: 5 SLM
He: 10 SLM
Number of gas lines / Name: 10
RF1 & RF2 Generator (Max Power / Brand): 2000 W
Foreline pump (EBARA AAS 100WN): 10000 L/Min
Baratron off-set 626 MKS: 10 T
Lift pin type: Free drop
Lift pin speed (Timing of movement): 3580
Load lock: A & B
Configuration:
Pump capacity (EDWARDS BOC): IPX 100A
Difuser: ENTEGRIS 60 PSIG
Venting N2 flow rate: 10 SLM
Venting time: 57 Sec
Pump time: 65 Sec
Baratron Range / Brand / Off-Set: 325 Moducell MKS
Pressure set point for LL pumping switching: 45 Sec
Time delay for LL door open: 10 Sec
Transfer chamber:
Type of robot / Robot blade: Super blade
Robot speed with wafer / Runrate / Slope:
300000 / 210000
230000 / 120000
Robot speed without wafer (Ext/Rot):
200000 / 325000
230000 / 325000
MFC N2 Flow setting: 10 SLM
Chamber base pressure ( Actual / Alarm): 208 mTorr
Wafer transfer - chamber: 300 mTorr
Buffer pressure transfer chamber - wafer: 320 mTorr
Other periphere:
SiH4 HI: 29.6, 30, 36
NH3 HI 27.6, 27.8, 29
CDA Pressure: 85
HX Temperature / Flow rate: 75
N2 (P): 27
SiH4 LO
NH3 LO
N2O: 30
NF3
2004 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Producer IIIは、半導体チップ製造のための先進的なプラズマリアクターです。AMAT Producer IIIは、電子サイクロトロン共鳴（ECR）源を利用して、チップ生産におけるポリシリコンゲート誘電体や銅インターコネクトなどの材料の薄くて精密な層を堆積するために不可欠な、均一で高密度のプラズマを作成します。APPLIED MATERIALS Producer IIIの設計により、既存のシステムを最適にプロセス制御できます。特許を取得したウェーハの限られたボリュームと低ノイズ技術により、ウェーハの各領域から極めて均一な蒸着が維持されます。また、生産者IIIは非常にエネルギー効率が高く、消費電力を削減し、担保熱開発を最小限に抑えています。これらを組み合わせることで、AMAT/APPLIED MATERIALS Producer IIIは半導体メーカーのチップ生産慣行を改善することができます。AMAT Producer IIIは、以前のAMAT Producers IとIIをベースに、いくつかの重要な機能を追加しています。2つの独立したRF電源を提供し、ウェーハの底部と上部からの堆積を独立して制御することができ、200層以上の成長を可能にします。また、ウエハー全体にわたって超均一ガスの流れを維持し、プロセス条件をより正確に調整する独自のUHP （Ultra High Pressure）システムを搭載しています。APPLIED MATERIALS Producer IIIはまた、堆積物の高い柔軟性を可能にします。ウェーハ全体に均一なフィルムを適用したり、アプリケーションに応じてゾーンを選択したりできます。各ゾーンには、個々の堆積プロセスに合わせて調整できるプログラマブルパラメータがあり、ユーザーはプロセスをカスタム設計することができます。また、プロセスのオフライン分析を可能にする高度な診断とデータロギングも備えています。Producer IIIは、最も精密で再現性の高い蒸着結果を得るために設計された高度なプラズマ炉です。プロセス制御、柔軟性、エネルギー効率の向上により、AMAT/APPLIED MATERIALS PRODUCER IIIは、チップ製造プロセスに比類のないサポートを提供します。
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