中古 AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 Mark II #9023531 を販売中
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販売された
ID: 9023531
ウェーハサイズ: 8"
ヴィンテージ: 1995
CVD System, 8"
Process: SIH4-Pe Oxide
Process chambers: Basic CVD (3) chambers (A, B, C)
(3) Chambers hardware
Storage elevator: 28 Slots
Nitride
Main body
Cassette indexer, 8"
Cassette handler: Clamp type, 8"
Load lock:
Robot mechanism, 8"
(3) Slit doors assy
Pumping port assy
Process chamber:
(2) Susceptors nitride, 8"
(3) Lift hoops assy
(3) Susceptors lift assy
(3) Wafer lift assy
(3) Process chambers body, 8"
(3) RF Match assy
(3) Throttle valves assy dual spring
(3) Gate valves assy
(3) Lamp modules
Gas panel:
(3) Gas lines
(3) Chambers
NH3 200 SCCM
N2 100 SCCM
C3F8 300 SCCM
N2O 800/2500 SCCM
N2 5 SLM
SIH4 200 SCCM
Remote AC / RF Rack
MFC:
Qty / Make / Model
(2) / UNIT / UFC 1660
(12) / UNIT / UFC 8160
(1) / UNIT / UFC 8161
(2) / SAM / SFC 1480 FPD
(1) / SAM / SFC 1481 FPD
Remote AC rack:
(3) RF Coaxial cables
Signal cable
(3) NPM-1250C RF Matchers
Minicontroller
HT-200 Heat exchanger
Missing parts:
Qty / Part number / Description
(1) / 0100-09002 / SBC
(1) / 0100-09003 / VGA
(1) / 0100-11001 / A/O
(1) / 0660-01080 / HDD SCSI
(1) / 0010-10636 / P-Chuck, 8"
(2) / 0010-30406 / Throttle valves
(3) / 0020–10123 / Plates perf narrow gap nitride, 8"
(3) / 0020–10191 / Plate blockers nitride / TEOS USG, 8"
(3) / 0020–10402 / Pumping plates, 8" TEOS / Sil oxide / Narrow gap sil / Nit
(3) / 0200–09072 / Shields, 8"
(3) / 0200–09075 / Adaptor pump plates, 8" narrow gap nitride / WB
(12) / 0200-10074 / Lift pins, 8"
(1) / 0010-76005 / Robot blade assy, 8"
(3) / 0010-76174 / Isolation valves
(1) / 0010-09056 / SBC Intelligent interface BD
1995 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 Mark IIは、集積回路を製造するために設計されたエッチングおよび蒸着炉です。P5000は垂直のシングルウェーハ加工チャンバで、半導体ウェーハにフィルムをエッチングして堆積させることができます。蒸着源を保持するプロセスモジュール、各種加工部品間でウェーハを移動するトランスファーアーム、加工室内の真空を保持するターボポンプシステムを内蔵しています。AMAT P5000 Mark IIは、ウェーハ転送時に4〜12インチの標準ウェーハサイズと最大33cm/秒の巡航速度を提供します。APPLIED MATERIALS P 5000 MARK IIは、温度、圧力、および電力を含むプログラム可能なプロセス条件を提供し、ユーザーの希望する材料、ターゲット、およびデバイス構造に堆積プロセスをカスタム調整します。応用材料P5000 Mark IIはまた高度の均等性制御およびECR機能を提供し、沈殿させたフィルム厚さおよび均一性を精密に制御することを可能にします。P 5000 MARK IIは、化学蒸着（CVD）、物理蒸着（PVD）、エッチングなど、様々な蒸着源とエッチングプロセスを提供します。CVDプロセスは、シリコン、シリコン酸化物、窒化物、およびその他の材料の膜を堆積することができます。PVDプロセスは、銅、アルミニウム、チタンなどの金属膜を堆積することができます。エッチング工程は、ディープエッチングや、非常に鋭角の浅い溝をエッチングするために使用することができ、デバイスの性能を向上させることができます。AMAT P 5000 MARK IIは、ウェーハ処理チャンバ内の温度を維持するための冷却板を含む高度な冷却機能を備えています。さらに、AMAT/APPLIED MATERIALS P 5000 MARK IIは、より高いエッチング速度とプロセスの微細な制御を可能にする、改良されたパワーディテクタを備えています。P5000 Mark IIは汎用性、正確性、安定した処理を提供し、集積回路の生産に最適です。機能の包括的なリストでは、均一で反復可能な結果を達成するための信頼できるシステムであり、高度なチップとデバイスの生産に最適です。
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