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AMAT / APPLIED MATERIALS ENDURA
ID: 9263425
System.
AMAT/APPLIED MATERIALS ENDURA Dual-Acting Reactorは、CVD処理用に特別に設計された融合シリカ内部冷却プラズマ炉です。この原子炉は、先進的な半導体デバイス製造のための最先端の蒸着装置です。紫外線(UV)とラジカル活性プラズマの両方を使用して、超薄いゲート誘電体や導電層に適した材料の均一な堆積を生成します。AMAT ENDURA Dual-Acting Reactorは、直径300mmまでの基板への成膜制御が可能な汎用性と高効率の原子炉です。これは、2つの別々に動作するプラズマ源、1つはチャンバーの上部に位置し、1つはチャンバーの下部に位置しています。両方のプラズマ源を個別に調整して、プロセスチャンバー内のプロセスパラメータと蒸着を制御できます。最上部のプラズマ源は、窒化アルミニウム(AlN)窓によって遮蔽され、2。4 kWのRF発電機によって供給される低温窒化ケイ素です。下部のプラズマ源は内部的に冷却された、誘導的に結合されたRFの電源、219-1200°Cからの温度の範囲です。この二重作動システムにより、蒸着プロセスをより大きな制御が可能になり、ユーザーはより大きな基板に対してより高い均一性を得るためにプロセスを調整することができます。2つのプラズマ源はそれぞれ独自に制御されてプロセスをカスタマイズし、トータルチャンバー圧力、プラズマ出力、ソース圧力の面で調整することができます。また、プロセスパラメータを超過した場合の自動シャットオフなどのオートメーション機能も備えており、より安全で効率的なプラズマプロセスをユーザーに提供します。APPLIED MATERIALTS ENDURA Dual-Acting Reactorは、信頼性の高い基板およびウエハハンドリングコンポーネント、および処理全体を完全に自動化する高度なロボットモーション制御システムを備えています。この原子炉は、反応性、温度、蒸着率という3つの主要なプロセス領域の最適化をサポートするように設計されています。高効率であり、蒸着材料の低使用が求められ、他のソリューションと比較してコストを削減します。ENDURA Dual-Acting Reactorは、優れた均一性、プロセス制御の向上、半導体産業へのコスト削減を提供する革新的で最先端のプラズマ蒸着システムです。優れた性能と信頼性の高い結果により、ゲート誘電体や金属層の堆積などの高度なアプリケーションに最適です。この原子炉は、高度な半導体デバイスの製造に適しており、最も要求の厳しいプロセスで最大のスループットと信頼性を提供します。
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