中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Endura II #9195497 を販売中
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販売された
ID: 9195497
PVD System
(4) Chambers
Process type: HT DSTTN
Chamber position: 1,2
Shutter option
Chamber body: SST
Chamber body part number: 0040-98657
Slit valve seal: Bonded
Slit valve door part number: 0040-84391
Target vendor: NIKKO
Target number: TAG72
DC Power supply (AE-MDX): ENI
APPLIED MATERIALS Part number master: 0190-22931
OEM Part number master: DCG200Z
Generator size: 20 kW
Total DC (12 kWh,24 kWh): 20 kW
Magnet rotation speed: 95 RPM
Magnet shim thickness: No data
Magnet type: TI / TIN
Magnet part number: 0010-03487
Magnet spacing: 1.0 mm
Adapter part number: 0040-69768
Upper shield part number: 0021-21234
Treatment: Bead blast
Lower shield part number: 0020-29706
Treatment: Bead blast
Dep ring part number: 0200-01080
Cover ring part number: 0021-22177
Treatment: Bead blast
Shutter: 0021-25014
Treatment: Bead blast
Pedestal type: HT ECHUCK
Pedestal part number: 0010-27430
Heater spacing: 55 mm
Heater spacing: -51000 Steps
Minimum heater spacing: 32 mm
Minimum heater spacing: -69000 Steps
Maximum heater spacing: 55 mm
Maximum heater spacing: -51000 Steps
CRYO Gate valve: (3) Positions
MFC 1 Gas: N2 Process
MFC 1 Size: 200
MFC 1 Type: N2
MFC 1 Part number: 0015-02992
MFC 2 Gas: None
MFC 3 Gas: Ar process
MFC 3 Size: 150
MFC 3 Type: Ar
MFC 3 Part number: 0015-02992
MFC 4 Gas: ArH
MFC 4 Size: 20
MFC 4 Type: Ar
Chamber base pressure (T): 3-E8
Chamber rate-of-rise: 650 nTorr / Min
Process Ar supply pressure: 34.7
Process N2 supply pressure: 33.9
Vent Ar pressure: 47.7
CDA: 95.7
Slit valve CDA: 85
Cooling water flow: 11.2 GPM
Process type: RT DSTTN
Chamber position: 3,4
Shutter option
Chamber body: SST
Chamber body part number: 0040-98657
Slit valve seal: Bonded
Slit valve door part number: 0040-84391
Target vendor: NIKKO / TOSOH
Target number: TAG 72
Bake out / Idle power: 0.4 %
DC Power supply (AE-MDX): ENI
APPLIED MATERIALS Part number master: 0190-22931
OEM Part number master: DCG200Z
Generator size : 20 kW
Total DC (12 kWh,24kWh): 20 kW
Magnet rotation speed: 95 RPM
Magnet shim thickness: No data
Magnet type: TI / TIN
Magnet part number: 0010-03487
Magnet spacing: 1.1 mm
Adapter part number: 0040-69768
Upper shield part number: 0021-21234
Treatment: Bead blast
Lower shield part number: 0021-22065
Dep ring part number: 0040-07291
Cover ring part number: 0021-22064
Shutter: 0021-26609
Pedestal type: Advanced A101
Pedestal part number: 0010-27432
Heater spacing: 55 mm
Heater spacing: -51000 Steps
Minimum heater spacing: 32 mm
Minimum heater spacing: -69000 Steps
Maximum heater spacing: 55 mm
Maximum heater spacing: -51000 Steps
CRYO Gate valve: (3) Positions
MFC 1 Gas: N2 Process
MFC 1 Size: 200
MFC 1 Type: N2
MFC 1 Part number: 0015-02992
MFC 2 Gas: None
MFC 3 Gas: Ar process
MFC 3 Size: 150
MFC 3 Type: Ar
MFC 3 Part number: 0015-02992
Chamber base pressure: 3-E8 T
Chamber rate-of-rise: 650 nTorr / Min
Process Ar supply pressure: 34.7
Process N2 supply pressure: 33.9
Vent Ar pressure: 47.7
CDA: 95.7
Silt valve CDA: 85
Cooling water flow: 11.2 GPM.
AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT Endura IIは、高度な半導体アプリケーションおよびデバイス製造に使用されるデュアルチャンバー酸化/エッチング/CVD/ALDリアクター装置です。高いスループットと生産性を提供するように設計されています。このシステムは2チャンバ設計を備えており、異なるプロセスチャンバーでの同時動作を可能にし、より高いスループットと均一性を向上させます。部屋は1020°Cの最高の実用温度の独立した温度調整を特色にします。AKT Endura IIは高密度プラズマ（HDP）処理が可能で、精密エッチング、スパッタ沈着、化学蒸着（CVD）、原子層蒸着（ALD）の分野で有利です。その高度なHDP制御機能により、より精密なエッチングとスパッタリングが可能になり、より細かいライン解像度とナノ加工フィーチャーの微細な蒸着が可能になります。さらに、様々なプラズマ源をサポートし、幅広い材料を使用することができます。AMAT Endura IIには、信頼性の高いプロセス制御と高い歩留まりのリアルタイム監視も含まれています。ユーザーフレンドリーなグラフィカルユーザーインターフェイス（GUI）により、プロセスオートメーションが可能になり、必要に応じてさまざまなレシピセットを迅速に切り替えることができます。GUIでは、高度なフィルム構造や成膜プロセスのレシピの調整が可能であり、温度、圧力、ウェハの均一性などの基板レベルのパラメータを表示することができます。また、高度な自動補正モジュール（ACM）を搭載しており、ユーザーの介入が少ないプロセス結果を最適化する方法を提供します。このモジュールを使用すると、即座にパラメータを監視および調整でき、ダウンタイムを最小限に抑えてプロセスの均一性と再現性を向上させます。さらに、複数のレシピの最適化、インテリジェントなウェーハハンドリング、正確なプロセス制御などのスマートテクノロジー機能により、歩留まりと品質が向上します。APPLIED MATERIALS Endura IIは、先進的な半導体加工に最適で、高い生産スループットとデバイス品質の向上を実現します。このツールは、優れたパフォーマンス、信頼性、および柔軟性を提供し、歩留まりとプロセスの均一性を向上させます。
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