中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Endura II Aluminum Interconnect #9392312 を販売中
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ID: 9392312
Physical Vapor Deposition (PVD) System, 12"
Process: Reflowsput
Chamber Position
C- Process type reactive PC
Process type SIP Ti: 1 And 5
Process type ALPS: 2
HT Al: 3 And 4
D - RT DSTTN
Process Type: Reactive PC
Chamber position: C
Chamber body:
Al
Part number: 0040-76718
Slit valve
Seal: Bonded
Door part number: 0040-84391
Bias Generator Frequency: 13.56 MHz and 2 MHz(In one generator)
RF:
Coil generator: COMDEL CDX-2000
Match box: 0010-21748 / 0010-52033
AMAT / APPLIED MATERIALS Part number : 0190-23308
Adaptor part/number: 0041-02659
Upper shield part/number: BELLJAR 0040-55456
Treatment (Arc spray / bead blast): AL2O3
Lower shield part/number: 0040-86514
Treatment (Arc spray / bead blast): Bead Blast
inner / mid shield part/number: 0021-19342
Shield clamp part/number: 0020-19258
Inner / mid shield clamp part/number: Insulator 0200-01903
Cryo gate valve (2/3 Pos): PENDULUM
MFC 1
Gas: He
Cal Factor: 1
Size: 300
Type: He
Part number: 0010-44160
MFC 2
Gas: Ar2
Cal Factor: 1
Size: 200
Type: Ar
Part number: 3030-13113
MFC 3
Gas: A
Cal Factor: 1
Size: 20
Type: Ar
Part number: 3030-13116
MFC 4
Gas: (MFC6) H2
Cal Factor: (MFC6) 1
Size: (MFC6) 100
Type: (MFC6) H2
Part number: (MFC6) 0015-02990
Chamber base pressure (T): 0.0000002
Chamber Rate of rise (nTorr / min): 15000
Process Ar supply pressure: 34.7
Process N2 supply pressure: 33.9
Vent Ar pressure: 47.7
Optional Gas (He): 30.1
CDA: 95.7
Slit valve CDA: 85
Cooling water flow (GPM): 0.8
Process type: SIP Ti
Chamber position: 1,5
Shutter option
chamber body:
(Al or SST): SS
Part number: 0040-98657
Slit valve:
Seal: Bonded
Valve door part number: 0040-84391
Target:
Vendor: Nikko/Tosoh
Bakeout / idle power (%): 0.4
DC Power supply (AE-MDX): AE-Pinnacle
AMAT Part number Master: 0190-08122
AMAT Part number Slave: 0190-08122
Generator size : 20kw
DC (12 kwh, 24kwh): 40 kw
Bias generator : ENI - GHW12Z
AMAT Part number : 0190-25529
Bias Generator:
Size: 1.25KW
Frequency: 13.56 MHz
Rf Match Box: 0010-02372/0010-52034
Magnet:
Rotation speed (RPM): 65
Shim thickness: Ch1:1.25mm Ch5:1.0mm
Type: LP-3.7.4
Part number: 0010-11228
Target to magnet spacing (mm): 1.5 ± 0.6
Adaptor part number: 0040-82921
Kit spacer:
Upper part number: 0040-7694
Lower part number: 0040-62877
Upper shield part number: 0020-23549
Treatment:
(Arc spray/Bead Blast): Arc Spray
(Arc spray/Bead Blast): Bead Blast
Lower shield:
Part number: 0020-02344
Clamp part number: 0020-02348
Inner / mid shield:
Part number: 0020-54777
Clamp part number: 0020-08299
Dep ring part number: 0200-08301
Cover ring part number: 0021-17770
Insulator bushing part number: 0200-00590
Shutter: 0021-25014
Pedestal:
Type: SLT FDR E-CHUCK
Part number: 0010-22985
Heater spacing in steps: -55050
Maximum Cryo regen gas load (L): 400
Cryo gate valve (2/3 Pos): 3-Position
MFC 1:
Gas: N2
Size: 200
Type: N2
MFC 3:
Gas: Ar
Size: 50
Type: Ar
MFC 4:
Gas: ArH
Size: 20
Chamber base pressure (T): 2.0 e-8
Chamber Rate-of-Rise (nTorr / min): 522
Process supply pressure:
Ar 30psi
N2 30psi
Cryo regen N2 pressure: 90
Vent Ar pressure: 40
CDA: 88
Slit valve CDA: 82
Cooling water flow (GPM): 8.9
Vent Ar pressure: 47.7
Lower shield part number: 0021-22065
Upper shield part number: 0021-21234
Process type: (RT DSTTN)
Chamber position: D
Heater spacing:
55mm
Steps: -51000
Optional gas (He): 37.9
CDA: 95.7
Cooling water flow (GPM): 11.2.
AMAT/APPLIED MATERIALS Endura IIアルミニウムインターコネクト（AMAT）は、アルミニウムベースのインターコネクトの製造用に特別に設計されたユニークな設計を統合しています。この原子炉は、高度な半導体および光電子デバイスの開発に使用されています。有機電界効果トランジスタ（OFET）や有機発光ダイオード（OLED）などの技術に最適な機器です。AMAT Endura IIのアルミニウム相互接続は精密な相互接続を保障する異方性エッチングプロセスを特色にします。これは、誘導結合プラズマ源（ICP）と低圧プラズマ源を組み合わせることにより、垂直なエッジ、低接触抵抗、および金属の過度の損失のない高いアスペクト比の金属トレースのエッチングを可能にします。ICPソースは、抵抗性、低圧、フィルタリングされたAr-Cl2（アルゴン塩素）プロセスチャンバーと統合され、コンピュータ制御された動的温度制御システムと組み合わされます。この組み合わせは、金属を過度に損失することなく、高アスペクト比の機能を生成することができる精密リンク処理を提供します。また、DPC （Dynamic Pressure Control）ユニットも装備されているため、プロセス条件を最適化してプロセス制御を強化し、相互接続設計の再現性を向上させます。このマシンはまた、プロセスパラメータを制御するために使用できる近代的なグラフィカルユーザーインターフェイスを備えています。また、GDSIIファイルをインポートおよびエクスポートすることもでき、既存のデザインをAPPLIED MATERIALS相互接続形式に変換できます。直感的なコマンドによる角層カバレッジと制御をサポートする機能により、幅広いプロセスウェーハを製造できます。APPLIED MATERIALIES Endura II Aluminum Interconnectは、平坦性が向上し、本質的な接触抵抗が低い低温相互接続が可能なフィルタリング・ビア技術も備えています。この機能は、インターコネクトを介してフィルタリングされる自動、低温ポリマー注入ツールによってサポートされています。最後に、Endura IIアルミニウムインターコネクト（AMAT/APPLIED MATERIALS）は、高度なアルミニウムベースのインターコネクトを製造するための統合、精度、高生産性、低コストのソリューションを提供します。このアセットは、垂直エッジ、低接触抵抗、および金属の過度の損失がない高いアスペクト比の金属トレースを生成することができるため、次世代オプトエレクトロニクスおよび半導体技術に最適です。
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