中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura MCVD #293595634 を販売中

AMAT / APPLIED MATERIALS Centura MCVD
ID: 293595634
ウェーハサイズ: 8"
ヴィンテージ: 2001
CVD Systems, 8" WxZ Optima process (4) Chambers 2001 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura MCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition)原子炉は、半導体デバイス製造プロセスにおけるエピタキシャル層の成長のための高性能で高度な堆積システムです。このシステムは、優れた均一性とフィルム特性を提供するように設計されており、デバイスの均一性とパフォーマンスの向上を可能にします。AMAT Centura MCVDリアクターは、最先端の汎用性の高い設計を備えています。それは正確なガスの配分および制御を可能にする制御可能なガス配達システムが装備されています。これにより、望ましいガスが原子炉室全体に均一に供給されることが保証されます。この機能により、チャンバーの雰囲気と基板温度をより良く制御することができ、高品質で均一な堆積が得られます。原子炉は、様々な基板を加工しても、一貫した再現性のある成膜結果を得るように設計されています。これは、化学蒸着(CVD)と金属有機化学蒸着(MOCVD)の望ましい特性を組み合わせた独自のMCVD蒸着プロセスによって可能になります。それは基質上の適切な材料のコンフォーマル分子層の堆積から始まります。この分子層は、さらなる堆積プロセスのためのテンプレートとして機能します。これにより、信頼性の高い厚さと均一性のある多層材料が成長し、表面形態が改善されます。応用材料Centura MCVD原子炉は、他の蒸着システムと比較していくつかの異なる利点があります。蒸着速度が高く、加工時間の短縮が可能です。さらに、複数のガス供給源のため、反応室の壁にはデッドゾーンがありません。これにより、層の堆積プロセス全体でより均一になります。また、MCVDプロセスは非常にエネルギー効率が高く、他の蒸着システムよりもコスト削減が可能です。Centura MCVDリアクターは、多層材料の堆積のための理想的なツールです。信頼性、均一性、高品質の蒸着結果を提供し、今日の半導体デバイス製造プロセスにおいて不可欠なツールです。
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