中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II #9046133 を販売中

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ID: 9046133
ウェーハサイズ: 8"
ヴィンテージ: 2002
Etcher, 8", currently configured for 6" Model: 5202 System type: Hybrid etcher 5202 Chamber types: Chamber A DPS + Ploy Chamber C Super E Oxide Chamber D Super E Oxide Chamber F orienter Gas panel type: Centura II Mainframe type: Centura II Software revision: E4.5 (1) DPS silicon etch chamber (2) Super-E dielectric oxide etch chambers Applications: STI etch, polysilicon gate etch, and spacer etch in DPS poly etch chamber Contact and via etches in Super-E dielectric etch chambers Plasma etching in both chambers Super-E uses a single capacitively-coupled RF source DPS poly chamber uses an inductively-coupled source for plasma generation and a capacitively-coupled source to control ion energy and directionality near the wafer surface 2002 vintage.
AMAT (APPLIED MATERIALS) AMAT/APPLIED MATERIALIES CENTURA IIは、高度な薄膜蒸着用に特別に設計された化学蒸着(CVD)炉です。大容量の薄膜成膜に精密プロセス制御を提供する300mm生産クラスの装置です。AMAT Centura IIリアクターは、高度なロジックおよびメモリ半導体に最適な薄膜の蒸着用に設計されています。オープンプロセッシングチャンバーの柔軟性と高効率システムのスループットを兼ね備えています。APPLIED MATERIALTS CENTURA-IIリアクタの主なコンポーネントは、シングルウェーハまたはマルチウェーハキャリアとプロセスチャンバーです。シングルウェーハキャリアは、プロセスサイクル全体でサンプルの正確なアライメントと回転を可能にするように設計されています。マルチウェーハキャリアは、均一性とスループットを向上させるために最適化されています。プロセスチャンバーはシステムの中心であり、高レート蒸着のために最適化された雰囲気で構築されています。また、プロセスチャンバーは電子ビーム蒸発器(EBE)で構成されており、揮発性材料を電流ウェハに正確に堆積させることができます。Centura IIリアクターには、プロセスのパフォーマンスと効率を向上させるために設計されたさまざまな機能が付属しています。例えば、精密フロー制御と調整可能なプロセスパラメータを提供し、正確な成膜を可能にします。さらに、高度な監視および制御ユニットを備えており、リアルタイムのフィードバックと重要なプロセスパラメータへのアクセスを提供するように設計されています。最後に、フィルムの正確なアライメントを可能にする座標配向機を搭載し、高い均一性を実現しています。全体として、AMAT CENTURA-IIは、先進的な薄膜蒸着用に設計された統合生産グレードのCVD炉です。精密プロセス制御、高いスループット、正確な成膜を提供し、高度なデバイスの効率的で大量生産を可能にします。
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