中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura HTF EPI #9045084 を販売中
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販売された
ID: 9045084
System, 8"
(2) Process chambers:
Position A : RP Poly
Position B : RP Epi
Isolation valve
PCV wet cleaned
Rotation rev 4 with no wobbling kit
Upper and lower lamp modules
Dual manometer: 100, 1000Torr
Wide body loadlock mainframe:
SMIF option
Missing plastic door cover
Robot:
HP motor
Quartz blade reduced contact installed
Gas panel configuration: CCTP for HTF Centura EPI 01 with divert option
(3) Blowers: A, B, C
AC Rack:
Boards
HSMS
(2) Lamp drivers
Quartz parts:
EPI/POLY 2 Lower Dome 0200-35042
EPI/POLY 2 Upper Dome 0200-35007
EPI 2 Upper Liner 0200-35017
EPI 2 Lower Liner 0200-35023
EPI 4 Insert Quartz Inject 0200-35019
EPI 2 Baffle 0200-35020
EPI/POLY 4 Insert Quartz Exhaust 0200-35018
EPI/POLY 2 Wafer Lift Shaft 0200-35424
EPI 1 Pre-Heat Ring Toshiba 0200-35081
EPI 1 Susceptor Toshiba Non Center Post 0200-36727
EPI 1 Shaft Non Center Post 0200-00412
EPI 3 SiC Support Tips 0200-00207
EPI 3 Hollow Lift Pins (SiC) 0200-36642
POLY 1 Susceptor Support Shaft 0200-35573
POLY 1 Susceptor Xycarb 0200-35157
POLY 1 Preheat-Ring SGL 0200-35022
POLY 3 Lift Pins (Quartz) 0200-35207
EPI/POLY 2 Anti rotation pin 0200-03486
No process kit
No vacuum pumps
Crated and warehoused.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura HTF EPI（高温急速熱流）リアクターは、集積回路（IC）の製造に使用される基板を処理するための半導体製造ツールです。それは500-900°C。から及ぶ温度を要求する高性能プロセスアプリケーションのために設計されています。このツールは、プロセス時間を短縮するための特許取得済みの熱流量制御など、さまざまなユーザー定義の処理パラメータを提供するシングルウェハプロセス炉です。AMAT Centura HTF EPIは、ウェーハ全体の基板温度の均一性を高め、処理時間を短縮し、高生産性IC製造に最適です。APPLIED MATERIALS Centura HTF EPIには、ウェーハ温度を監視および制御するための最新のマイクロプロセッサベースの制御装置が装備されています。内部にカスタマイズされたガス制御モジュールを備えており、チャンバー内のガス混合に無制限のオプションを提供します。Centura HTF EPIには特許取得済みの熱流量制御もあり、プロセスガスの流量を変調してプロセス時間を短縮します。この原子炉には二次加熱システムも装備されており、ホットチャンバーとコールドチャンバーのセクションの均一で独立した加熱が可能です。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura HTF EPIはコンパクトでエネルギー効率に優れたユニットで、複雑なIC構造を生成するための信頼性の高い原子炉です。AMAT Centura HTF EPIは、1バッチあたり6インチのウェーハ容量を備えており、最高のスループットを提供し、高温でもウェーハの均一性と製品歩留まりを向上させます。また、改良されたウェーハ汚染制御と低毒性プロセス化学物質を提供します。APPLIED MATERIALS Centura HTF EPIは、絶縁ガス圧力制御バルブや真空パージ機能などの安全機能を備えており、酸化、汚染、電気故障のリスクを低減します。また、プロセス後の冷却機能により、サーマルランピングとサーマルドリフトを最小限に抑え、プロセスの再現性を向上させ、ウェーハ上の粒子沈着を低減します。Centura HTF EPIは、最先端の技術と最新の制御システムを活用して、安全性を最大限に高めるために設計されています。高いスループットと正確な制御により、高生産性のIC製造に最適です。
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