中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DPS II AE Poly G3 #9195071 を販売中

ID: 9195071
ウェーハサイズ: 12"
ヴィンテージ: 2007
Poly etcher, 12" (3) Process chambers Factory interface configuration Front end PC type: 4.0 FEPC FIC PC Type: CPCI (3) Load ports A3 Type: Atmospheric robot KAWASAKI single fixed robot Side storage: Right and left Mainframe configuration IPUP Type: ALCATEL A100L Gas panel type: Standard VHP Robot: Dual blade MF PC Type: CL7 Chamber configuration: Chamber A: Chamber model: DPS II Poly Bias gen: AE APEX 1513, 13.56 MHz Bias match: AE 13.56 MHz, 3 kv navigation Source gen: AE APEX 3013, 13.56 MHz Source match: AE 13.56 MHz, 6 kv navigation Turbo pump: STP-A2503PV Throttle valve: VAT Pendulum valve DN-320 FRC: MKS FRCA-52163310 ESC: Dual zone ceramic ESC End point type: EyeD IEP Chamber B / C: Chamber model: DPS II Poly Bias gen: AE APEX 1513, 13.56 MHz Bias match: AE 13.56 MHz, 3 kv navigation Source gen: AE APEX 3013, 13.56 MHz Source match: AE 13.56 MHz, 6 kv navigation Turbo pump: STP-A3003CV Throttle valve: VAT Pendulum valve DN-320 FRC: MKS FRCA-52163310 ESC: Dual zone ceramic ESC End point type: EyeD IEP Missing parts: AXIOM Chamber RF Source VODM Throttle valve 2007 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DPS II AE Poly G3は、半導体産業で使用するために設計された高度なプラズマエッチング炉です。この原子炉は、特に500nm以下の高アスペクト比の特徴を持つプロセスに適しており、最新のチップ設計の要求に最適です。この原子炉は、Centura DPS IIシリーズの一部であり、プロセスの最適化から要件が進化するにつれて、さまざまなアプリケーションに対応できるモジュール設計を備えています。この原子炉にはWF-Loadable Vesselが搭載されているため、標準外のウェハサイズや石英方向などのさまざまなオプションをサポートできます。この原子炉には高度なAMAT Endura 5500電源システムが搭載されており、正確な制御と高い均一性で優れた性能を発揮します。これにより、お客様は、各バッチで高いエッチング率と優れた再現性の両方を達成することができます。また、電力供給システムは、ユーザーが特定のニーズに合わせて調整できる複数の周波数の柔軟性を備えています。この原子炉は、シリコンベースのゲート互換性を持ち、300mm規格に準拠しているため、幅広いチップ設計に適しています。また、パフォーマンスと運用効率を最大化するための統合ポンプおよびガス分析システムなどの高度な機能を備えており、プロセスウィンドウを最適化して最高歩留まりを達成することができます。原子炉には、基板チャックセット、オプションのソースランプ、プラズマモニタリングシステムなど、いくつかのオプションと機能があります。また、安全メカニズムを内蔵しており、常に最適な安全性と生産性を維持します。AMAT Centura DPS II AE Poly G3は、半導体産業のニーズを満たすように設計された高度で信頼性の高い原子炉です。優れたパフォーマンスと柔軟性を提供し、特定のアプリケーション要件に合わせてカスタマイズされたモジュラー設計を備えています。それは300mmの破片にサブ500nm特徴から及ぶ設計のために適しています。これにより、あらゆるタイプの半導体アプリケーションに最適です。
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