中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura AP DPS II Polysilicon #9208337 を販売中
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ID: 9208337
ウェーハサイズ: 12"
Polysilicon etcher, 12"
Wafer Size:
Diameter:
300 +/- 0.05mm
775 +/- 25um
Notch
Carrier: FOUP
With SEMI E47.1 (25 Wafers)
Water leak detector
Regulated N2 gas supply line
Corrosion resistant FI & SWLL
Heated SWLL
With ceramic diffusers
Transfer chamber: Accelerator
Loadlock isolation / Slit valve: AP Chemraz 513 elastomer
Atmospheric robot: KAWASAKI Single fixed robot with Edgegrip
(3) Loadports
Loadport type: Enhanced 25 wafer FOUP
(3) Light towers
EMO Type: Turn to release
System monitor:
Flat panel: Monitor 1
With keyboard on stand
Monitor cable lengths: 25ft With 16ft effective
IPUP Type: ALCATEL A100L / TOYOTA 0395-11103
Supporting remote units:
Etch common AC rack (DPS II): Cutler hammer blue AC rack
(19) Kits for AC rack
Chillers (DPS II): (2) H2000 & (4) SMC496
Coolant: DIEG / Galden
Chiller hose length: 75 Feet
Hardware configuration:
Process chamber: 1 - 4
DPS-II With AGN
Chamber hardware assy: MS411037-XA-BMA1A (24 Kit assemblies)
Endpoint type (Eye D IEP)
Plasma state monitor
ESC Type: ESC, ASSY, DPS2
Single ring:
Ceramic single ring
With (12) pockets
TMP SHIMADZU 3400l: TMP 3000 l/s, BOC EDWARDS
Upper chamber liner
Lower chamber liner
Inner SV door
Tunable gas nozzlez:
With ceramic weldment
RF Generator: 3 kW / 13.56 MHz, DPS2 1 Bottom
RF Generator: 1.5 kW / 13.56 MHz, DS2 2 Bottom
Bias match: DPS2
Source match: DPS2
O-ring kit for process express: KALREZ 8085
ESR80WN: EABARA
Gas box configuration:
Gas line 1: Cl2 100 sccm GF125
Gas line 2: HCl 200 sccm GF125
Gas line 3: HBr 600 sccm AE-PN780CBA
Gas line 4: SiF4 200 sccm GF125
Gas line 5: N2 200 sccm GF125
Gas line 6: O2 200 sccm GF125
Gas line 7: O2/He 50 sccm GF125
Gas line 8: SF6 200 sccm GF125
Gas line 9: SF6 50 sccm GF125
Gas line 10: CF4 200 sccm GF125
Gas line 11: CHF3 200 sccm GF125
Gas line 12: Ar 400 sccm GF125
Gas panel: Standard
Process kit configuration: Consumables
Gas weldment O-ring: 250 rf Hours
Swap parts
Missing parts:
Qty / Description / P/N
(1) / View window / 0200-36461
(1) / 10 torr Gauge / 135-00013
(1) / Ion gauge / 3310-0006
(1) / Bias match / 0190-03009
(1) / HV / 0090-00865
(1) / Foreline gauge / 1350-01232
(1) / Ion gauge ISO valve / 3870-00021
(1) / Monochrometer EPD / 0010-05478
(1) / Slit door irons / 0020-64587
(1) / Slit door bellow / 0040-76767
(1) / NA Heated weldment tee KF 40 warranty / 0190-23502
(1) / Heated weldment 7.09 KF 40 R warranty / 0190-23503
(1) / Ion gauge ISO valve / 3870-00021
(1) / Ion gauge / 3310-00006
(1) / Heated weldment 7.09 kf 40 r warranty / 0190-23503
(1) / Ion gauge ISO valve / 3870-00021
(1) / Ion gauge / 3310-00006
(1) / Bias match / 0190-03009
(1) / Foreline gauge / 1350-01232
(1) / HV / 0090-00865
(1) / MF Robot driver / 0190-17853
(3) / E84 Cables
(2) / Special gas pipes
Qty / Chamber / Description
(1) / CHA / Pressure switch 10 torr
(1) / CHB / Check valve
(1) / CHB / Pressure switch 10 torr
(1) / CHC / Pressure switch 10 torr
(1) / CHC / Check valve
(1) / CHC / View port window.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura AP DPS IIポリシリコン炉は、半導体産業の高純度ポリシリコンを製造するために設計された先進的な生産設備です。この洗練されたシステムは、アルゴンプラズマドーピング(APD)、電荷浮遊層(CFL)、シリコン注入(SI)という3つの異なるプロセス実行を利用して、製造されたポリシリコンで最適な純度を達成します。APDプロセスは、ポリシリコンウェーハの表面にヒ素またはリンのドーパントを導入するアルゴンプラズマドーピング技術を利用しており、導電率の変化と材料の電子特性の正確な制御を可能にします。CFLプロセスは、フローティング電荷層(FCL)を使用してドーパントの動きを調節し、ドーパントの選択とプロセス制御の改善に柔軟性を提供します。最後に、SIプロセスはイオン注入プロセスを利用して、ユニークな基板表面をポリシリコンウェーハに導入し、その電気的特性を正確に制御し、ウェーハ品質を向上させます。AMAT Centura AP DPS II Polysilicon Reactorは、ポリシリコンを生成するための高速マルチチャンバーアプローチを可能にするように設計されており、1時間に最大6個のフルサイズの同時処理が可能です。これにより、大規模な生産要件に最適です。カスタマイズ機能により、ユーザーは、成長キャリア濃度、急速サーマルアニーリング(RTA)、ポリシリコン蒸着など、さまざまな出力仕様を作成するようにユニットを構成することができます。これにより、処理時間をさらに短縮できます。機械は6つの主要な部品と統合されます:1)ガス配達用具;2)真空資産。3)汚染制御モデル;4)プロセス部屋;5)電子工学の単位、および6)マイクロラミネート装置。ガスデリバリーシステムは、すべての必要なガスとドーパントが安全かつ効率的に供給されることを保証します。真空ユニットは、環境から揮発性汚染物質を除去し、機械の圧力を制御します。汚染管理ツールには、各手順の前後に環境を浄化するための高度なスクラブ技術が含まれています。プロセスチャンバーは、物質を必要な温度と圧力レベルに保ち、真にクリーンな環境を提供するように設計されています。エレクトロニクスユニットは、すべての資産運用を監視および記録し、さまざまなモデル制御機能を提供します。最後に、マイクロラミネーション装置は正確な物質的な沈着および制御を可能にします。要約すると、APPLIED MATERIALS Centura AP DPS IIポリシリコン炉は、半導体産業の先進的な生産システムです。アルゴンプラズマドーピング(APD)、電荷浮遊層(CFL)、シリコン注入(SI)の3つの異なるプロセス実行を利用して、生成されたポリシリコンの最適な純度を達成します。1時間に最大6枚のフルサイズウェーハを生産可能で、さまざまなウェーハ仕様にカスタマイズできます。この機械はさらに、最高レベルの品質と効率を達成するために、ガス供給工具、真空資産、汚染制御モデル、プロセスチャンバー、エレクトロニクスユニット、およびマイクロラミネート装置の6つの主要コンポーネントと統合されています。
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