中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP #293592988 を販売中

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ID: 293592988
ウェーハサイズ: 12"
ヴィンテージ: 2010
EPI System, 12" CIM: SECHS / GEM Process: Epitaxi SiCoNi pre clean chamber (2) Chambers: RP, EPI Buffer FOUP (2) SiCoNi heatexchangers (2) AC powerboxs 2010 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP Reactorは、基板上の薄膜材料の優れたエッジ定義フィルム供給成長(EFG)を容易にするように設計された最先端の化学蒸着(CVD)ツールです。小容量、高性能光学、半導体、MEMSデバイス層の製造に最適です。高効率で費用対効果の高いAMAT Centura ACP Reactorは、大小の領域で優れたフィルム均一性を実現し、業界全体のチップ製造に革命をもたらしています。APPLIED MATERIALS Centura ACP Reactorは、高速ウェハスキャン速度であっても、フィルムの不均一性を最小限に抑えながら、プロセス制御を最大限に高効率のダイレクトプラズマ源を備えています。これは、ガス流量が少ないため、空間的に局所的にフィルムの成長を可能にし、均一な蒸着プロファイルのための蒸着速度制御を改善しました。この複雑な技術の組み込みは、既存の機器よりも精密で経済的なEFG機能を提供します。Centura ACPにはレスポンシブなIn-Situ Etch (I-S-E)機能が搭載されており、複雑なプロセスコンポーネントと薄膜層をオンサイトで製造できます。1つのシステムで高効率のエッチング、成膜、表面改質技術を提供するため、コストがかかり、時間のかかるエッチングが不要になります。さらに、AMAT/APPLIED MATERIALTS Centura ACPには、高度なガスボトルマウントユニットが装備されており、複数の試薬に安全かつ容易にアクセスできます。AMAT Centura ACP Reactorの他の革新的な機能には、新しい特許取得済みの基板マウントがあり、最適な熱安定性と最小限の熱損失を提供します。これにより、熱勾配を最小限に抑え、複雑な熱管理システムを必要とせずに、フィルムの成長中の均一性を保証します。さらに、機械には特許取得済みのIOCCミキシングチャンバーとガス混合技術が搭載されています。これにより、フィルム成長ゾーンでのガスの正確な混合と配送が可能になり、さまざまなガス濃度とフィルム成長率の制御が可能になります。応用材料Centura ACPリアクターは、CVD技術の印象的な進歩です。さまざまな革新的な機能を提供することで、大小のエリアで効率的で信頼性の高い均一性とパフォーマンスを実現します。半導体、MEMS、光学薄膜デバイスの製造用途に最適で、比類のないレベルの制御を提供しながら、より高速で費用対効果の高い製造を可能にします。Centura ACP Reactorは、先進的なEFG技術を通じてチップ製造に革命をもたらし、業界のゲームチェンジャーになるように設定されています。
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