中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP RP #9096042 を販売中
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販売された
ID: 9096042
ウェーハサイズ: 12"
Epitaxial silicon (EPI) System, 12"
Position A: Yes
Position B: Yes
Position C: Yes
Position D: Yes
System software: B2.7_39
FiCGUI: fB4.90_15 Beta
GP: gB7.50_11
WIP Delivery type: OHT WIP delivery
(2) Load ports
Remote control system capable: NO
eDiagnostics ready: Yes
Docked E99 reading capability: Yes
Load port types: Enhanced 25-Wafer FOUP
Docking flange shield: Yes
Air intake system: Top intake
E84 carrier handoff: Upper E84 interface enabled OHT
E84 PIO sensors and cables: Upper E84 sensor an cable
E99 Carrier ID: TIRIS
With RF
Operator access switch: Yes
Carrier ID host interface: No
OHT Light curtain: Light curtain
SECS Trace: Yes
Single axis aligner: Single axis aligner
Robots: No
Mainframe type: CORE ENP BLOCK 2
LL: Batch load lack
Chamber Interface: Vented stainless stell insert
Pumps:
Process pump: EDWARDS iH1000SC, 100 Hz
Transfer Pump: ALCATEL ADS602
LL Pump: ALCATEL ADS602
Baratrons : MKS
Lift Pins: Hollow silicon carbide graphite
Recipe control AccuSETT: Yes
Lamp type: USHIO 0190-31284
Process temperature: PID Control real time display
Emissivity: 0.55 to 0.75 upper and 0.6 to 0.8 lower
Upper/Lower Gain (kw/C): 0.5 NOT allowed to adjust but capable
Upper/Lower TI (sec):
10s Upper
20s Lower
Gas panel feed: Bottom
Pump purge: YES
Regulators and displays Transducers and regulators
SiH2CI2 Stick 07: DCS (500 sccm)
HCl Stick 03: HCL (500 sccm)
SiH4 tick 04: SIH4 (500 sccm)
H2 NIL
H2 Main Stick 01: Purge main (100000 sccm)
H2 Slit Stick 02: Purge slit (30000 sccm)
3 degree flared in upper outer
threaded upper inner: threaded upper inner 0041-01969
FTGNIP QDISC: FTGNIP QDISC 3/8BODY X 3/8-18FP1.71"LSST303 3300-01720
Phase II hardware
Shaft
6-arm susceptor support:
Reflector
Base
Lower mid
Top
Lower mid
H2 Purifier: Yes
Currently de-installed.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP RPは、半導体製造用の先進的で高性能なプラズマエッチング処理炉です。特殊に設計されたスパッタ電極と特許取得済みのCostar Rotatable Process （CRP）装置により、プロセスパラメータを正確に制御する高効率な蒸着システムを備えています。CRPは、慎重なプロセス制御と正確な沈着により、プロセスの最適化と歩留まりの改善を可能にします。ACP RPは、CMOSやIII-Vデバイスなど、さまざまな半導体プロセス要件向けに設計されています。現場での物理蒸着と化学蒸着の両方が可能で、高度な精度と精度でより高いプロセス制御を提供します。ACP RPリアクターは、RFプラズマを駆動し、半導体用の様々な材料を生産するための効果的で効率的なプラズマ源を提供します。この原子炉は、エッチングやイオン注入から選択的な蒸着まで、幅広いプロセス能力を備えています。独自のソフトウェアと特許取得済みのCostar Rotatable Processを使用して、電極とプラズマパスを正確に整列させ、ウェーハ上の層を最適に堆積させます。また、蒸着の均一性を向上させる特殊なプロセスチャンバーを備えた高効率の真空システムを備えています。これにより、堆積プロセスの全長にわたってより高い均一性が得られます。特別なプロセス部屋は騒音レベルを減らし、沈殿物の性能を改善します。さらに、ACP RPには、EBPS （e-Beam Driven Process Sources）が搭載されており、迅速なエッチング、イオン注入、およびその他のプラズマ処理技術を1ステップで実現します。ACP RPには高度な制御システムが装備されており、プロセスパラメータを正確かつ正確に制御できます。これにより、再現性の高い高収率の結果が保証され、ACP RPは幅広い用途に適しています。さらに、ACP RPは簡単に拡張可能で、回転可能なプラテン、Unigy Electrostatic Chuck （ESC）、 RoboSTAT Process Control Softwareなどのオプション機能を備えています。これらのすべての機能により、一貫した予測可能な結果が保証され、生産環境でのスループットの最適化と歩留まりの向上が可能になります。ACP RPは、高速でトラブルフリーな動作を実現するよう設計されており、優れた機能を備えているため、さまざまな半導体製造プロセスに適しています。その高度なRFプラズマ源と高精度のプロセス制御は、信頼性と精度を必要とするプロセスに最適です。堅牢な設計と性能を備えたAMAT Centura ACP RPは、大量かつ複雑なプラズマエッチング処理タスクに最適です。
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