中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 WxZ WCVD #9008251 を販売中

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ID: 9008251
ウェーハサイズ: 6"
ヴィンテージ: 1997
APPLIED MATERIALS Centura 5200 WxZ WCVD WxZ System, 6" SMF Voltage: 208 V, 3 phases Load lock: (2) narrow body Robot: HP (3) WxZ chambers CHA: WxZ W chamber CHB: WxZ W chamber CHC: N/A CHD: WxZ W chamber CHE: Cool down CHF: Orienter Monitor: (2) sets Pumps: (3) sets UPS: (1) NESLAB: (1) Chiller: (1) GAS BOX: (2) sets N2 Box: (1) Crated, vacuum sealed 1997 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 WxZ WCVD (Chemical vapor deposition)リアクターは、薄膜層を表面に堆積させるように設計された半導体加工装置の先進的な製品です。Centura 5200 WxZは、化合物半導体および金属用途の両方において、均一でコンフォーマルな薄膜を堆積するように特別に設計されています。これは、低温物理蒸着(PVD)、大気圧化学蒸着(APCVD)、広範囲の化学蒸着(WCVD)など、さまざまな技術によって達成されます。Centura 5200 WxZは、蒸着環境から不純物を除去するための高真空チャンバーを備えており、プロセス中の汚染の可能性を低減します。さらに、フィルムを堆積しながらウェーハの効率的な積み下ろしを可能にするマルチチャンバーウェーハハンドリング装置を備えています。また、ウェハハンドリングシステムにより、処理中に各ウェハを簡単に監視および制御することができます。また、この原子炉にはコンピュータ制御の統合されたin-situガスデリバリーユニットが搭載されており、蒸着プロセスで最大限の均一性を達成するために、ガスの流れと輸送媒体を正確に配信、監視、制御します。Centura 5200 WxZは、高精度機能を備えた強力で高性能なマシンです。窒化ガリウム(GaN)や酸化ガリウム(GaO)薄膜、オプトエレクトロニクス用金属酸化物半導体(MOS)構造など、様々な厚さや質感の膜を幅広く堆積することができます。この高度なツールにより、プロセスの再現性とスループットを向上させることができます。Centura 5200 WxZは、正確な制御に加えて、優れた信頼性と耐久性を提供します。この資産は、最も困難な条件での優れた動作のために設計された堅牢な材料から構築されています。また、高度なプロセス制御モデルを備えているため、ユーザーはリアルタイムでパラメータを監視および変更しやすく、常に最適なパフォーマンスを保証します。全体として、AMAT Centura 5200 WxZ WCVDリアクターは、薄膜を堆積させ、さまざまな用途において優れたプロセス再現性を実現する信頼性の高い強力な装置です。高度なウエハハンドリングシステムと精密ガス供給ユニットにより、ユーザーは最高の再現性で均一でコンフォーマルフィルムを実現できます。機械の優秀な造りの質はまたそれに条件の最も挑戦に耐えることができる装置の強く、耐久の部分をします。
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