中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP #9105942 を販売中
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販売された
ID: 9105942
ウェーハサイズ: 8"
Dielectric oxide etcher, 8"
(3) Chambers
Install type: Through the wall
Cassette interface:
Narrow body load locks with wafer mapping
HP Robot
On-the-fly wafer center finding
Software version: 4.8_27
Chambers A, B, C, and D: Dielectric etch MXP
ESC
Standard cathode
Bolt-down chamber lid
Seiko seiki STP 301 CB1
Phase IV RF Match
AMAT optical endpoint system S/W version 30
(2) AMAT 1 heat exchangers
(2) Neslab HX-150 chillers with CHX Interface
Gas panel configured as follows:
Chamber A:
N2 100
O2 50
CF4$ 200
CHF3 100
Ar 150
Chamber B:
N2 100
O2 50
CF4$ 200
CHF3 100
Ar 110
Chambers C, D:
N2 100
O2 50
CF4$ 200
CHF3 100
Ar 250.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxPは、高度なフィルム蒸着プロセスに使用される半導体グレードの化学蒸着(CVD)炉です。高k誘電体、金属窒化物、その他の特殊材料などの先進的な薄膜成膜プロセスを応用し、超高速トランジスタネットワークを構築します。AMAT Centura 5200 MxPは、半導体製造業界の厳しい要求に応えるように設計された一連のAMAT蒸着システムの最新製品です。応用材料Centura 5200 MxP原子炉は5つのモジュールで構成され、それぞれ優れた性能と信頼性を提供するように設計されています。システムは、電源、プロセスチャンバー、ウエハハンドリングユニット、温度制御システム、ガス供給機で構成されています。この電源は、蒸着プロセスを高精度かつ制御することで、精密な材料蒸着を可能にします。プロセスチャンバーは、ヒーター板と2つのリフトピンを備えた円筒形のステンレス鋼デザインで、正確で反復可能な厚さの均一性を備えています。巧みに設計されたプロセスチャンバーには、静的および動的な蒸着モードで動作するユニークな蒸着サイクルが組み込まれています。ウェハハンドリングツールには、200mmウェハトランスポートアセットの自動化と3軸ウェハ操作が含まれています。ウェーハ操作モデルにより、高精度のウェーハ配置とガス流量制御が可能で、再現性の高い均一な蒸着結果が得られます。温度制御システムは、基板の加熱および冷却速度を正確に制御することにより、蒸着プロセス中にウェーハ全体で正確な均一性を提供します。ガス供給装置は堆積過程で必要なガスを供給しますが、フレキシブルガス選択機能は単一または複数のガスを使用するオプションを提供します。このシステムはまた、安全で信頼性の高い動作を確保するために、火災抑制、漏れ検出、緊急停止などの高度な安全機能を多数使用しています。全体として、Centura 5200 MxPは、高度なフィルム蒸着プロセス用に特別に設計された先進的なCVD炉です。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxPは、高度な設計、プロセスチャンバー、温度制御システム、ガス供給ユニットにより、高品質の薄膜蒸着アプリケーションに優れた性能と信頼性を提供します。
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