中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi #9034366 を販売中

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ID: 9034366
System, 8" (3) Selective Epi chambers RP Process: SEG (Selective Epitaxial Growth) Software version: B6.40 Wafer shape: SNNF (Semi Notch No Flat) Wafer cassette: 8" PEEK Miraial Wafer transfer: Robot: HP+ENP, Wafer centering: On the fly SMIF Interface: No System configuration: Chamber A; SEG Chamber B: SEG Chamber C: N/A Chamber D: N/A Chamber F: Single cool down Chamber A, B, and C: Manometer: MKS (1 Torr, 100 Torr, 1000 Torr) Clean type: HCI Clean RGA Port: Yes (connection port to the foreline) (2) Pyrometers (upper/lower): Iron: MR-T399-99C, K118 (AMAT: 0090-35052) Gas Pallet Configuration: Gas name: MFC size H2/N2 (H2 Main): H2: 100 L H2/N2 (H2 Slit): H2: 20 L HCl: HCl: 300 cc SiH4: SiH4: 1 L GeH4: H2: 500 cc Direct-Dopant 1: H2: 300 cc Mixed-Dopant: H2: 300 cc SiH2Cl2: SiH2Cl2: 1 L Direct-dopant 2: H2: 300 cc Gas Delivery: MFC: Type: Unit (C8100AF, C3101AF) Valves: Veriflo Rim pressure compressor: Pump CPRSR air with RSVR 1 MPA Filters: Pall Teflon filter Transducers: Measurement: MKS 852861PCH2GD, Display: MKS LDM-14793 Regulators: Veriflo Parker Coating: SUS316EP Single line drop (SLD): No System cabinet exhaust: Top and side (3) H2 Leak detector: Control Inst: SNT476-1000 ppm-H2 (AMAT: 0820-01021 (1)System controller: Remote AC Controller Transformer: N/A (480 V Direct connection) Chamber process kit: Quartz, carbon parts QTY | AMAT P/N | Parts Name (1) 0200-36727 SUSCEPTOR, 200MM EPI W/O CENTER TOSHIB (1) 0200-35081 RING, PREHEAT GRAPHITE BETA COATING (4) 0200-36642 PIN, 200MM EPI WAFER LIFT (LIFT+LINER LOCK PIN) (3) 0200-00207 TIP, SUSCEPTOR SHAFT OUTSIDE (1) 0200-35007 DOME, UPPER RP (1) 0200-35042 DOME, LOWER QTZ W/BALL (1) 0200-35162 LINER, CHMBR UPPER BRKT/CEN (25x) (1) 0200-35161 LINER, CHMBR LOWER BRKT/CEN (25x) (2) 0200-35916 INSERT, INJECT 3 ZONE QTZ (25x) (2) 0021-00571 INSERT,EXHAUST SST (1) 0200-35159 BAFFLE, INJECT 3 ZONE (25x) (1) 0200-00412 SHAFT, SUSCEPTOR W/RMVBL PINS NO CEN EPI (1) 0200-35424 LIFT, WAFER 8" POLY QUARTZ Foreline heater: Heater jacket from tool to pump 4", temp controller (not included in scope) Dry pumps: Stored inside of Helios Zenith (not included in scope) Load lock: iL70N New Look Transfer: iL70N New Look Chamber A: iH-35SE Chamber B: iH1000 Chamber C: iH1000 Gas abatement: (not included in scope) (1) Boc Edwards Helios Zenith (1) Kurita water circulation unit Full load current: 280 A Maximum system rating: 87 KVA Ampere rating of largest load: 100 A Interrupting current: 10,000 Amps I.C. 480 VAC, 3-Ph, 50/60 Hz, 4-Wires 2003 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epiは、薄い多結晶材料を基板に堆積させるために使用される最新の半導体加工ツールです。この原子炉は、エピタキシー、ひずみ層ヘテロ構造、高モビリティバッファ層、転位緩和、および低ディフェクトデバイス層など、さまざまなエピプロセス用途に適しています。AMAT Centura 5200 Epiは、大気チャンバーと圧力制御装置を使用して、局所エピタキシャル成長の高温を誘導します。反応環境やプロセス条件を安全に制御する高精度システムを提供します。基板のゾーンごとの温度制御を備えた低圧水晶デュアルチャンバー設計を特長としています。これにより、再現性と均一なエピタキシャル成長が保証されます。APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epiには、チャンバーに導入されたリアクタントガスを正確かつ安定に制御するために設計された燃料供給ユニットが付属しています。リモートセンシングのマスフローコントローラを内蔵しており、圧力を絶えず調整して、さまざまな圧力で正確なガスの流れと組成を維持します。本機は、原子炉室内への汚染物や不純物の侵入を防止します。Centura 5200 Epiには、連結されたバイパスバルブと圧力監視ツールも含まれています。これにより、資産への頻繁なメンテナンスが不要になります。さらに、その高度なパージパネルは、2段階の加熱モデルを持っています。これは、効率的なオンボード可塑剤の除去と粒子制御装置を提供します。これにより、プロセスガスの安定性が向上し、プロセスの均一性が向上します。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epiは、堅牢な高速応答加熱および冷却システムでも設計されています。この機構は、500°C以下、700°C以下の温度から正確な温度制御を保証します。高温コントローラは、正確で反復可能なプロセス性能を実現するために、正確な温度均一性を提供します。AMAT Centura 5200 Epiは、最新の半導体製造ニーズに対応する高度で洗練されたエピプロセッシングツールです。多種多様なエピプロセス用途において均一性と信頼性を提供し、現代の半導体メーカーにとって理想的なツールとなっています。
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