中古 AIXTRON LYNX3 #9158988 を販売中

AIXTRON LYNX3は、最高品質のIII-V材料を製造するように設計された高級III-Vエピタキシー炉です。AIXTRONの産業サイズ300mm HDP-CVDおよびLPCVDプラットフォームに基づいており、直径200mmまでの基板サイズを提供しています。その先進的なCVDプラットフォームは、低温、高精度、高スループットプロセスを提供し、化合物半導体デバイス製造などのアプリケーションに最適です。LYNX3原子炉は、さまざまなIII-V材料を使用してモノレイヤー、マルチレイヤー、ヘテロ構造を成長させるように設計されています。独自の変調エピタキシャル層成膜（MELD）技術により、量子ドットや量子リングなどの多成分層を正確かつ低温で成長させることができます。AIXTRON LYNX3のユニークな機能には、高度なウェーハアライメントとプロファイリング、高度な温度制御、および拡張特性評価機能が含まれます。原子炉に0。01°Cの正確さの広い働き圧力範囲そして高度の温度調整があります。高度なウェーハアライメントとプロファイリングシステムにより、X、 Y、 Z軸で正確なウェーハアライメントを提供します。その拡張可能な特性評価および計測システムは、厚さ、屈折率、結晶構造を決定することができます。リアクタの高度なSiNx拡散WindowsおよびエッチングWindowsは、デバイスのパフォーマンスを向上させるために、効果的な表面異方性および結晶表面特性を可能にします。そのインプルーム酸化機能は、酸化パラメータのより高い再現性とより良い理解を持つ直接酸化およびデジタル輸送層を可能にします。この原子炉はプログラム可能なシャッター制御も備えており、実験を繰り返し可能にし、プロセスの最適化を強化しています。LYNX3は、産業ユーザーの特定のニーズを満たすように設計されており、高度な拡張性と柔軟性を提供します。高度な機能と制御性を備えたこの原子炉は、最高の精度とスループットで多層構造とヘテロ接合成長に最適です。その高度なCVDプラットフォームは、デバイスのパフォーマンスを最適化するための再現性と均一な多結晶の特性を保証します。