中古 AIXTRON G3 #9163470 を販売中

AIXTRON G3は、半導体材料の生産のために設計された革新的なレーザー駆動の水平型の低圧冷壁化学蒸着（CVD）原子炉です。この原子炉は、強力なAIXTRONレーザー装置のおかげで、成長率、温度、酸素濃度、および蒸着均一性の正確な制御を組み合わせる世界初のものです。AIXTRON G 3は、室温から930°Cまでの温度で、Si、 SiGe、 InP、 III-V窒化物、および酸化物を含むさまざまな材料を処理することができます。小面積エピタキシーにも適しており、高性能な統合フォトニック部品の製造に最適です。この原子炉は、2ゾーンプロセスフランジ、AIXTRONレーザーシステム、チラー、石英窓、制御ユニットを内蔵したステンレス製の真空チャンバーで構成されています。プロセスチャンバー内には「、コールドウォール」と「ホットゾーン」という2つの区画があります。コールドウォールは基板温度を制御し、ホットゾーンは蒸着に使用されます。AIXTRONレーザーユニットは、G3に電力を供給する主要コンポーネントです。これは、ガスの流れを正確に制御し、堆積のための所望の電力レベルを生成するために2つの専門レーザービームを使用しています。制御ユニットは、成長率、温度、酸素濃度、および蒸着均一性を設定するときの柔軟性を可能にします。さらに、チラーは、基板温度が必要な範囲内で維持されることを保証します。G 3は、常に高品質の材料を提供する汎用性とパワフルでありながら使いやすいマシンです。これは、再現性のあるプロセス条件と非常に低い欠陥密度で信頼性の高い粒子なしの成長を提供します。この先進的なCVD炉は、オプトエレクトロニクスやMEMSデバイスなどの分野の研究や産業用途に適しています。現在、統合フォトニクスなどの分野で境界を押し広げており、大きなインパクトが期待されています。