中古 AIXTRON G3 #9074580 を販売中
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販売された
ID: 9074580
GaN systems
Dopants: Cp2Mg, SiH4
Transfer: load lock only
Wafer loading capabilities: (24) 2” or (8) 4”
CACE software
EpiTune (in-situ monitoring)
Facility requirements:
Gas specification:
N2 – 4VCRF – 4.0 ~ 7.0 bar
H2 – 4VCRF – 4.0 ~ 7.0 bar
NH3 – 4VCRF – 3.0 ~ 3.5 bar
SiH4/H2(200ppm) – 4VCRF – 3.0 ~ 3.5 bar
HCL – 4VCRF – 3.0 ~ 3.5 bar
GN2(N2 tech) – 4VCRF – 7.0 ~ 8.5 bar
Wafer specification:
System:
Inlet – 6.5 bar (maximum) 1" Swagelok bulkhead
Minimum total flow 63 l/m
Temp - 17°C ~ 25°C stability ± 1°C
Outlet – 2.5 bar (maximum) 1” Swagelok bulkhead pump loop
Minimum differential pressure 4 bar for required flow
Inlet – 6 bar(Maximum) 3/4” Swagelok bulkhead
Minimum total flow 50 l/m
Temp - 20°C stability ± 1°C
Outlet – 2 bar (maximum) 3/4” Swagelok bulkhead reactor loop
Minimum differential pressure 4 bar for required flow
Maximum temp – 40°C
RF generator:
Inlet – 6 bar (maximum) 3/4” Swagelok bulkhead
Minimum total flow 36 l/m
Outlet – 2 bar (maximum) 3/4” Swagelok bulkhead reactor loop
Minimum differential pressure 4 bar for required flow
Electrical requirements:
Voltage: System: 208 V, RF generator: 380 V
Current: System: 80A (customer 100A), RF generator 250A (customer 315A)
Frequency: 60 Hz
Wiring requirement: System: 3/N/PE, RF generator: 3/PE
Main power location: E-rack
UPS input location: internal to E-rack, provided as spare
Exhaust specifications:
Total cabinet exhaust requirement: GMS (750m3/h) (2ea) Reactor (500m3/h) (2ea)
TGA exhaust requirement:
- Process gas exhaust connected to scrubber DN40KF flange,
50~100mm below top of glovebox open line for continuous flow
HE-leak tight ≤ 10E-9 mbar l/s
Oxygen < 1ppm
Line pressure atm > p > atm – 20mbar
- Exhaust GB pump, 3/8” Swagelok
- Exhaust Forming gas, 3/8” Swagelok.
AIXTRON G3は、発光ダイオード（LED）チップの製造など、半導体用途に使用される先進金属有機化学蒸着（MOCVD）炉です。AIXTRON G 3は、独自のSplitFlow設計による長寿命の堅牢なプラットフォームです。SplitFlowは特許取得済みのデュアルフロー配信システムで、温度や堆積の均質性などのパフォーマンスの限界を克服しながら、少ないソースを使用して運用コストを削減できます。SplitFlowでは、ガスを分離して複数の場所に注入し、基板への流路を短くし、化学接触時間を短縮します。これにより、プロセスの再現性と効率性が向上します。G3リアクターは、最大500ミリバーの高いチャンバー圧力も可能で、均一性を損なうことなく、迅速な膜形成と厚い堆積を可能にします。均一性を確保するために、G 3は、2つの独立してプログラム可能な温度コントローラと2つのシャッターを介してガス供給と温度制御管理を組み合わせたDualPlayを備えています。これは、結晶や薄膜層の成長に必要な、原子炉全体の一貫した環境を作り出すのに役立ちます。AIXTRON G3は、個々に成長した超安定性リニアモータステージを3つ備えており、正確な基板操作が可能です。ステージは、高い位置精度のための低熱ドリフト、および0。5ミクロンの最小ピッチを提供します。AIXTRON G 3には、沈着レシピのパフォーマンスを最適化するためのインテリジェントアルゴリズムのスイートであるAdvanced Process Control Suiteもあります。G3リアクターは、高精度、高精度、再現性のために設計された信頼性の高い半導体リアクターです。SplitFlow設計により、より薄いフィルム、均一性の向上、流路の短縮と運用コストの削減により高効率を実現します。高いチャンバー圧力により厚膜形成が可能となり、DualPlayを介して温度制御が行われるため、結晶や薄膜層の成長において均一な条件が確保されます。3つの線形ステージは高い位置精度を提供し、Advanced Process Controlスイートはプロセス全体を微調整するのに役立ちます。
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