中古 AIXTRON G3 #9040737 を販売中
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販売された
ID: 9040737
MOCVD Systems, 24x2"
No. of wafers per carrier: 24x2"
Process: GaN
Gas Configuration: NH3, H2, N2, SiH4, TMGa, TMAl, CP2Mg, TEGa, TMIn
No purifiers
Packaged and placed in a warehouse.
AIXTRON G3は、AIXTRONによって設計された反応イオンエッチング(RIE)炉で、幅広い業界の特殊で高精度なエッチングニーズに対応しています。ドライエッチングとウェットエッチングの両方の処理が可能で、さまざまな化学的および物理的エッチング処理に使用される様々なガスと互換性があります。AIXTRON G 3は、最大12インチの高さクリアランスを備えた20インチx 20インチの大型チャンバーを備えており、高いアスペクト比と高い機能分解能を備えたエッチプロファイルを生成するように設計されています。これには、高度なエッチングジオメトリと高度に最適化されたプロセスパラメータで設計された標準的な石英ベルジャーが含まれています。G3はICPソース技術を利用して、高度な放電とプラズマエッチングのスループットを生成します。この技術は可変DC電源と組み合わされ、より高いエッチング速度とより良い均一性を生み出します。また、調節可能なリバースバイアスを備えており、エッチングの選択性と絶縁性を向上させ、表面損傷を最小限に抑えた完全エッチング構造を実現しています。G 3は、圧力制御、温度センサ、自動化されたパージサイクル制御、エッチング時間制御など、プロセスモニタリングと制御要素のフルセットを備えています。オンボードコントローラは、統合されたハードウェアおよびソフトウェア制御、ならびに外部システムへの接続を容易にするための真空フィードスルーで設計されています。このシステムはまた、長いエッチング周期の間、エッチング速度が最適化されたままになるように自動的に強化されています。AIXTRON G3は、多くの研究開発、生産、および産業環境で使用できるオールインワンエッチングソリューションとして設計されています。このシステムは使いやすく、非常に信頼性が高いように設計されており、ポリシリコン、酸化ケイ素、金属などの一般的な材料を幅広くエッチングすることが証明されています。さらに、高アスペクト比、高アスペクト解像度、または低エッチング率を必要とするプロセスでも、これらの材料を高速かつ優れたスループットで安全かつ効果的にエッチングするように設計されています。
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