中古 AIXTRON G3 2600 #9111425 を販売中

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製造業者
AIXTRON
モデル
G3 2600
ID: 9111425
ウェーハサイズ: 4"
MOCVD Systems, 4" LED for GaN Wafer size : 4" x 8 , 2" x 24 Heating type: RF induction heater Epi-tune: In-situ reflectance spectra MO Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl Software OS: Window Gas system: Gas line: VCR type MFC: Bronhost, N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3 Carrier gas: H2 flow 70L/min; N2 flow 70L/min Vacuum system: Process pump: Ebara ESA25D Filter: exhaust gas filter with separate water cooling unit Pressure control: MKS651 controller, throttle valve Cooling system: Cooling liquid: Water Max. inlet pressure: < 6 bar Differential pressure: > 4 bar Inlet temperature: < 25º C Outlet temperature: < 65º C Includes: GMS Cabinet Reactor cabinet Exhaust and chamber Scrubber RF Generator Particle filter Pump 208 V, 3 Ph, 50/60 Hz Currently warehoused 2002-2007 vintages.
AIXTRON G3 2600は、ナノ構造物およびナノコンポジット薄膜の製造用に設計された高度な熱壁化学蒸着(HWCVD)原子炉です。この高度なCVDリアクターは、ガス流量、圧力、温度などの複数の蒸着パラメータを制御できるモジュラー設計を備えています。また、水晶プロセスチューブと高出力RF (Radio Frequency)ジェネレータを備えており、原子種の操作を可能にしています。G3 2600はナノメートルスケールまで精密に材料を堆積させることができ、高品質の薄膜を製造することができます。モジュール設計により、ガス流量、圧力、温度などの蒸着パラメータを制御および調整することができ、精度と再現性を確保します。さらに、このデバイスは、異なる堆積レシピをコンピュータシステムに保存できるように設計されているため、薄膜の迅速かつ効率的な生産が可能です。さらに、AIXTRON G3 2600は、水晶で保護されたステンレス鋼、ユーザーフレンドリーなタッチスクリーンコントロールパネル、人間工学に基づいたデザイン、クリーンルーム対応部品など、いくつかの高度な機能を備えています。さらに、G3 2600は、高出力RFジェネレータ(最大76MHz)と加熱石英プロセスチューブを備えており、どちらも成長フィルムの正確な制御を可能にします。この先進的な設計により、原子炉は量子材料とナノコンポジットフィルムの堆積に特に適しています。高出力RFジェネレータのおかげで、ユーザーはプロセスチューブ内の原子種とイオン種を操作することができ、堆積率とフィルムの組成を正確に制御することができます。要するに、AIXTRON G3 2600は、ナノ構造とナノコンポジット薄膜を精度と精度で生成するように設計された先進的なCVD炉です。モジュラー設計、人間工学的特徴、およびRF発電機や水晶プロセスチューブなどの高度な機能により、幅広い用途に最適です。
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