中古 AIXTRON Crius II #9135739 を販売中

AIXTRON Crius IIは、半導体材料に使用するための高品質の薄膜層を生成するように設計された優れた化学蒸着（CVD）炉です。この原子炉には高度なプロセス制御（APC）技術が搭載されており、アダプティブアルゴリズムを使用して均一な冷却のための蒸着速度の変動を最小限に抑えています。それにまたフィルムの温度を制御するための速く、有効なシステムがあります。Crius IIには、ウェーハ基板をロードおよびアンロードするための2つの垂直ウェーハホルダーが含まれています。主要な部屋はステンレス鋼から成り、最適の均一な沈殿のための不活性ガスの環境から作動します。また、活性ガス流量制御ユニットを搭載しており、反応ガス混合物の精密測定や、最適な原子層蒸着に必要なガス流量条件の精密な制御が可能です。AIXTRON Crius IIにはパルス電子ビーム源マシンがあり、ウェーハ上のさまざまな場所で局所加熱を行うために使用され、フィルムを正確かつ均一に堆積させることができます。また、ストレスや電気的性質などの物性をリアルタイムで測定できるin-situモニターを搭載しています。さらに高い生産歩留まりを確保するために、Crius IIにはオートフォーカス・アライメントや単結晶炉などの追加工具機能を装備できます。また、オンボードの環状ジェット機能を備えており、冷却速度を向上させ、層間のフィルム移動を低減します。AIXTRON Crius IIは、薄膜製造における最高水準の精度と効率を満たすように設計されています。その高度なCVDプロセス制御アセットは、温度と速度の変動を最小限に抑えて優れた結果を提供します。さらに、効率的な不活性ガス環境は、クリーンで均一な蒸着環境を提供します。オートフォーカスアライメントや環状ジェットなどの追加機能により、Crius IIは最小限のフィルム移動で最高品質の薄膜を実現できます。全体として、この効率的な原子炉は、要求の厳しい半導体産業の薄膜蒸着に最適です。