中古 AIXTRON Crius II #293831257 を販売中
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ID: 293831257
ウェーハサイズ: 4"
ヴィンテージ: 2011
MOCVD System, 4"
Gases:
PN2:
Tube size: 3 / 8"
Pressure (psi): 80 ∼ 100
Flow rate: 100 L
H2:
Tube size: 1 / 4"
Pressure (psi): 60 ∼ 100
Flow rate: 100 L
H2 in N2 (10%):
Tube size: 1 / 2"
Pressure (psi): 100 ∼ 120
SiH4 in H2 200ppm:
Tube size: 1 / 4"
Pressure (psi): 40 ∼ 50
Flow rate: 0.1 L
NH3:
Tube size: 3 / 8"
Pressure (psi): 40 ∼ 50
Flow rate: 50 L
MO Sources:
TMGa
TMAL
Cp2Mg
TMI and TEG
Components: Dry pump
2011 vintage.
AIXTRON Crius IIは、薄膜蒸着や半導体加工に使用される化学蒸着炉(CVD)です。高品質なフィルムを高品質な材料研究やデバイス製造に提供するために特別に設計されています。この原子炉は、一度に最大2つのウェーハをサポートするシングルウェーハ大気圧力装置です。それは0。7から2 Torrの低圧および50から500°Cの高温範囲を提供します。Crius IIはいくつかのモジュールとコンポーネントで構成されています。2つの主要モジュールはロードロックシステムとメインチャンバーです。ロードロックユニットは、ウェーハを保持し、蒸着プロセス中の保護を提供します。メインチャンバーは、ウェーハをガスや圧力から保護する円形のチャンバーです。また、外部汚染を防止し、最適な堆積環境を維持します。AIXTRON Crius IIには、ウェーハをチャンバーから出入りするウェーハ搬送機もあります。ウェーハ搬送ツールには、チャンバー内でウェーハを移動するコンベアベルトとプッシャーが装備されています。Crius IIは、モデルの圧力と温度、ならびにリアクタントの流れと蒸着プロセスのタイミングを制御するコンピュータ資産によって駆動されます。それはユーザーが特定の条件を満たすために温度および圧力のような変数を調節することを可能にします。AIXTRON Crius IIには、ユーザーが設定をプログラムできるオートメーション機器もあります。この自動化システムは、堆積プロセスの複雑さを軽減し、より効率的になります。Crius IIの高度な設計は、効率的で迅速な沈着のためにも設計されています。それはフィルムが正確そして一貫して沈殿することを保障する高度の沈殿の技術が装備されています。複数の成膜技術をサポートし、成膜用のウェーハを準備する高度な成膜前チャンバーを備えています。これにより、主要なチャンバーに均一な化学成膜が保証され、高品質のフィルムが得られます。AIXTRON Crius IIもユーザーフレンドリーに設計されています。大型カラーのタッチスクリーンディスプレイを搭載し、前面から直感的にユニットをコントロールできます。画面上のメニューにより、ユニットの制御と堆積の設定が容易になります。結論として、Crius IIは先端材料の研究および装置製作のための良質のフィルムを提供する高度CVD機械です。効率的で高速な堆積のために設計されており、ユーザーフレンドリーなインターフェースにより使いやすくなります。先進の成膜チャンバー、高度な成膜技術、自動化されたプログラミングツールにより、薄膜成膜に最適です。
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