中古 AIXTRON Crius II #293591984 を販売中

AIXTRON Crius IIは、AIXTRONが開発したクライウス低圧CVD （LPCVD）装置のアップグレード版です。Crius IIはマルチウェーハリアクターであり、さまざまなウェーハ基板に優れたコンフォーマル、均一性、再現性のある前駆体を堆積させることができることを特徴としています。前駆体材料は密封されてCVDチャンバーに搬送され、沈殿物は低圧（1〜200 mbar）および低温（200〜600°C）で形成されます。AIXTRON Crius IIは、幅広い研究アプリケーション向けの信頼性の高い、費用対効果の高いソリューションです。その小さい部屋の設計は熱負荷を最小にし、沈殿物の最大の均等性そして再現性を提供します。低圧環境は、ラジカルが結果として生じる堆積物の品質に影響を及ぼすことを防ぎます。したがって、Crius IIは0。5 nmまでの均一な厚さ変動を可能にします。さらに、幅広い温度と圧力の組み合わせにより、半導体や磁性材料の堆積など、さまざまな材料の成長を効率的に処理することができます。AIXTRON Crius IIの固有の精度とともに、チャンバーにはAIXTRON 'ReadyPLUS'制御システムがさらに装備されています。これには、エンクロージャ層の強化、自動および手動ゾーン制御、温度均一性を可能にする冷却および加熱システムの改良、および調整可能なガス流量監視ユニットを備えたユニークなチャンバージオメトリ設計が含まれます。さらに、プロセスの柔軟性を実現するために、Crius IIは「シーケンシャルデポジション」と「シーケンスフロー制御」アルゴリズムを利用して、1つのチャンバーに異なる材料の複数の層を堆積させることができます。この先駆的な制御装置は、炭化水素除去の自動化、経路依存のレシピ管理、予防保全機能などの機能も備えています。要するに、AIXTRON Crius IIは、幅広い材料蒸着アプリケーションを処理するために装備された高度なLPCVDツールです。Crius IIは、正確かつ再現性のある蒸着能力と高度な制御資産を備えており、半導体および磁気堆積物の分野の研究者にとって理想的な選択肢です。