中古 AIXTRON Crius I #9065474 を販売中

AIXTRON Crius Iは、オプトエレクトロニクス、マイクロエレクトロニクス、パワーエレクトロニクス用途に使用される大面積、化合物半導体材料層を製造するための、高度で高効率で水平に構成された金属-有機化学蒸着（MOCVD）原子炉です。Crius Iは、さまざまな化合物から高品質の層を生成するために加熱前駆体を使用している堅牢な加工技術を特長としています。プロセス制御と組み合わせることで、高効率な前駆体の配送と配送の均一性により、優れた画層品質と再現性を実現します。AIXTRON Crius Iは、プレコーティングされたターゲット材料を洗浄するためのレーザーアブレーションプロセスと基板輸送用のロータリーベーンバルブを組み込んでおり、原子炉内での環境負荷のない移動を保証します。Crius Iは、1000°Cまでの高温動作により、高度な材料特性とデバイス特性を備えた層を生成することができます。AIXTRON Crius AIXTRON Crius Iは、成膜プロセス中に均一で一貫したウェーハ接着を保証する基板サポートに高精度のチャックを使用して、他の成膜方法よりも高い成膜速度と改善された層特性を可能にします。クローズドループガスフロー、クローズドループ圧力および温度制御、およびコンピュータ蒸着制御システムにより、繰り返し可能で効率的なプロセス再現性と堅牢なウェーハ/基板性能を実現します。また、熱波を利用して前駆体を正確に放出し堆積させる先駆体配送システムを搭載し、堆積プロセス全体で非常に高い材料均一性を実現しています。Crius Iは、広範囲の2Dおよび3D半導体構造およびデバイスを迅速かつ正確に製造するための理想的なツールです。高度なプロセスモニタリングと制御システムにより、幅広いエレクトロニクスやオプトエレクトロニクスの特性に優れた新しい材料やデバイス構造の開発が容易になり、次世代の半導体材料やデバイスの製造に完全なソリューションを提供します。