中古 AIXTRON Crius 31x2 #293650409 を販売中
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AIXTRON Crius 31x2は半導体産業の適用のために設計されているプロセス炉です。これは、MBEおよびVPE成長プロセス用に特別に設計されたデュアルゾーン蒸着を備えたリモートプラズマです。デュアルゾーン機器として、AIXTRON CRIUS 31 X 2は、メインおよび補助プロセスチャンバーの独立した温度制御を可能にします。メインチャンバーは通常MBEに使用され、高圧条件下でも優れた温度均一性を持つ様々な材料の加工が可能です。この温度均一性は、効果的な熱絶縁のためのトライアックスグラファイトインサートを含むチャンバーの均一なホットウォール設計のおかげで可能です。この設計はまた、環境への熱漏れを最小限に抑え、システムの効率を向上させます。補助チャンバーは、VPEなどの蒸着技術に一般的に使用されます。これは、内部電極への遠隔誘導結合を用いたプラズマ形成を特徴とし、ハイエンドのPECVDおよびICP源に匹敵する広範囲のプラズマ出力を持つ高均一プラズマを生成します。チャンバーのコールドウォール設計により、優れた断熱性が確保され、堆積ゾーンの熱勾配が排除されます。これにより、一貫した高い蒸着速度と層の品質が保証されます。また、クリウス31x2は非常に柔軟性が高く、幅広い基板、ウェーハ、基板ホルダーに対応しています。汎用性の高いローディングチャンバーにより、最適化された基板加熱と冷却、およびさまざまな拡散長と基板密度の材料の堆積が可能です。それはまた無菌ローディングおよび荷を下すことを特色にし、きれいで、汚染なしのプロセスを保障します。プロセス効率を最大限に高めるため、CRIUS 31 X 2には温度センサや光放射センサなど多数のセンサーが搭載されています。これらは熱条件を監視し、急速な熱変動または組成遷移の間でも蒸着層を精密に制御できます。最後に、ユニットはまた、ユーザーの利便性のために設計されています。内蔵の制御および監視マシンは直感的でユーザーフレンドリーで、操作、データロギング、およびツール診断を簡単に行うことができます。これにより、プロセスの完全な再現性と生産における最高の結果が保証されます。
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