中古 AIXTRON Crius 31x2 #293587443 を販売中

AIXTRON Crius 31x2は、III-V、 II-VI、酸化物半導体などの材料の結晶成長を最適化するために設計された化学蒸着（CVD）炉です。低圧ヘテロジニアスなレイアウトで設計されており、スイングアームシャワーヘッドを使用しているため、基板全体で高い均一性を実現しています。この装置には、液体およびガス供給システムと電子サイクロトロン共鳴（ECR）プラズマ源が装備されており、プロセス中の2つの異なる種類の反応性ガスを正確に制御することができます。Criusは、低圧（2〜150 mbar）プロセスチャンバーを使用して、多様な材料の成長を管理し、高品質で大面積の結晶材料を提供するためのユニークな費用対効果の高いソリューションを提供します。AIXTRON CRIUS 31 X 2は、高度な化学蒸着（CVD）および高度なプラズマ強化CVD （PECVD）プロセスを使用して、基板から複数の設計結晶層を成長させることができる反応チャンバーです。この原子炉は、均質なクラスタ型シャワーヘッドを備えた低圧から中圧で動作し、基板全体の優れた均一性と他の高度な加工技術との優れた互換性を提供します。プロセスに適用されるECRソースは、プロセスの均一性を保証します。Crius 31x2の高度な技術により、ディスプレイや半導体製造、通信、MEMS （Micro-Electro-Mechanical Unit）産業など、薄膜金属、酸化金属、多結晶シリコンおよびその他の積層材料の成長に適しています。原子炉には2つの独立した基板ホルダーが取り付けられており、一方の基板への積み下ろし作業中に処理することができます。また、調整可能なスイングアームシャワーヘッドを備えており、基板全体に完全な均一性を提供します。また、300〜1000°Cの高温範囲を備えているため、非常に低い圧力ニーズで成長率が向上し、高精度で制御可能な条件を必要とするプロセスに最適です。CRIUS 31 X 2は、高度にカスタマイズ可能なプロセスを必要とする研究、開発、アプリケーションに最適なソリューションで、お客様のプロセス要件に合わせて簡単にカスタマイズできます。