中古 AIXTRON AIX200 / 200RF #293759012 を販売中
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ID: 293759012
ウェーハサイズ: 2"
ヴィンテージ: 2004
MOCVD System, 2"
Halogen heater
Induction heater
Dual tube
RF Coil heater
IR Heater
2004 vintage.
AIXTRON AIX200/ 200RFは、半導体産業における成膜装置のリーディングプロバイダーであるAIXTRON SEによって設計および開発された最先端の半導体製造炉です。AIX200/ 200RF炉は汎用性が高く、様々な電子機器やオプトエレクトロニクス機器で使用される先進的な薄膜材料の製造に幅広い能力を提供しています。この原子炉は、窒化ガリウム(GaN)、リン化インジウム(InP)などの化合物半導体の堆積用に特別に設計されており、LED、レーザダイオード、高出力トランジスタなどの高性能デバイスの製造に不可欠なツールとなっています。AIXTRON AIX200/ 200RFリアクターは、垂直コンセプト設計により、チャンバー内の堆積面積を最大化しながら、コンパクトなフットプリントを提供します。この設計は、高いスループットと生産性を可能にしながら、半導体製造設備のスペースを効率的に使用することを保証します。この原子炉には、大面積の基板上に薄膜を均一に堆積させることができる回転円盤サセプタシステムが装備されており、生産プロセスにおける高い歩留まりと品質を確保しています。AIX200/ 200RFリアクターの主な特徴の1つは、高度なプラズマ強化化学蒸着(PECVD)技術であり、高い均一性と再現性で薄膜の成長を正確に制御することができます。この原子炉には、反応性の高いプラズマ環境を生成する高周波RFプラズマ源が搭載されており、優れた結晶質と構造整合性を有する複合化合物半導体材料の成長を促進しています。AIXTRON AIX200/ 200RFリアクターは、低温での薄膜の堆積を含む幅広いプロセス能力を提供するため、半導体デバイスを温度に敏感な基板に統合するのに適しています。このシステムは、さまざまな材料の組み合わせ、多層構造、およびヘテロ構造の堆積を可能にし、デバイスアーキテクチャのカスタマイズを特定の性能要件を満たすことができます。沈殿能力に加えて、AIX200/ 200RF炉には、リアルタイムのプロセス最適化とフィードバックを可能にするin-situ監視および制御システムが装備されています。この原子炉は高度なプロセス制御ソフトウェアと統合されており、蒸着パラメータの正確なチューニングを可能にし、生産運転全体にわたって一貫した反復可能な結果を保証します。AIXTRON AIX200/ 200RF炉は、大量生産環境向けに設計されており、堅牢な性能、拡張性、メンテナンスの容易さを提供します。このシステムは、高品質の部品と材料で設計されており、長期的な信頼性と稼働時間を確保し、ダウンタイムを最小限に抑え、半導体メーカーの運用コストを削減します。全体として、AIX200/ 200RF炉は化合物半導体材料の堆積のための最先端のソリューションであり、高性能で高品質の薄膜蒸着プロセスに対する半導体産業の厳しい要求を満たしています。AIXTRON AIX200/ 200RF炉は、先進的な技術、プロセスの柔軟性、信頼性の高い性能を備え、次世代の電子機器および光電子機器の開発と生産のための重要なイネーブラーです。
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