中古 AIXTRON AIX G5 HT #9074863 を販売中
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販売された
ID: 9074863
ヴィンテージ: 2011
MOVPE Planetary Reactor
Includes Transfer Module
Application: 14x4" wafer deposition
Planetary Reactor System:
Cabinet with lining
Stainless steel reactor chamber: water-cooled, vertical lid lifting mechanism
High Growth Rate (HGR) injector: water-cooled, SiC coated graphite planetary disk, sandwich design
Max. light-pipe temperature: 1250ºC
SiC coated graphite wafer holder (satellite) with Gas Foil Rotation
(2) In-situ monitoring viewports from top
Ferro-fluidics feedthrough for main rotation with rotation monitoring
Center purge line
Thermostated reactor chamber ceiling
Graphite exhaust collector and outer liner to prevent deposition on chamber wall
Individual Satellite Rotation Drive (EqiSat)
Glove box
Main Gas Blending Unit
RF-Heating Unit
Vacuum Cleaner for glove box
Vacuum System
Large Particle Trap for nitride application
Process pump
Automated satellite transfer system for high temperature operation (600ºC)
Computer Control System
Remote PC
Safety System
Gas Handling System:
(5) MO-G1 Standard Metal-Organic Channel (2xTMGa/H2, 2xTEGa/N2, 1xTMAI/H2)
(2) MO-G1-D Double Standard Metal-Organic Channel (2xCp2Mg/H2, 2xTMIn/N2)
(1) MO-G2-T Triple Standard Gas Channel (3xNH3)
(1) MO-G3_Double Dilution Metal-Organic Channel (N.N./N2)
(1) MO-G4 Double Dilution Gas Channel with additional pusher (1xSiH4/H2)
(1) MO-G5-10M Vacuum Lines
(3) MO-G6 Dummy Line (2xMO, 1xHydride Top run/vent)
(1) N2/H2 Separation of two MO-Stacks
(2) N2/H2 Mixture unit for one Run/Vent Stack (1xMO Run/Vent)
(2) MO-Differential Vent-Run Pressure Balancing (2xMO Run/Vent)
(2) Upgrade Thermo Bath
MO-Standard Gas Channel (5% Cl2/N2 for reactor clean)
EpiCurve TT TWO:
Emissivity corrected pyrometry at 950nm
Individual wafer measurement of surface temperature
High position resolution
Real-time measurement
Temperature accuracy: +/-1K
Growth rate measurement at selectable second wavelength: 950 +405nm for GaN
19" Electronic controller, including light source and detector
User manual and CD software
Purification:
(2) Moisture Sensor (H2, N2):
DP measurement range possible down to -120ºC (1ppb)
Integration of Read-Out Value into control system
Purifier Cl2
Extensions:
Vacuum Tweezer
N2 gun for glove box
Cl2 Scrubber: Cleansorb CS200SE
2011 vintage.
AIXTRON AIX G5 HTは、半導体などの先端材料やデバイスの製造に使用される高性能、高スループットの金属-有機化学蒸着（MOCVD）炉です。この原子炉は、様々な材料をプラズマや基板チャンバ部品に正しく露出させるために、高度なプロセスを採用しています。重要な用途分野AIXTRON AIX G 5 HTは、費用対効果の高い方法で幅広い材料を生産することができます。シリコンからエレクトロニクスやオプトエレクトロニクス用途向けのガリウムヒ素などの高性能材料まで、さまざまな材料基板の高い選択性で業界でよく知られています。さらに、再現性の高い製造プロセスとプロセス制御により、広範囲にわたる堆積膜の寸法および構造制御と均一性が向上します。G5 HT Programmable Process Technologies AIX G5 HTは、あらゆる材料沈着の成功の鍵である一連のプロセス技術を提供します。プログラム可能な堆積源は、ユーザーがさまざまな反応種と作業することを可能にし、ガス供給システムは反応チャンバーへの反応種の供給のためのキャリアガスの使用を可能にします。さらに、高周波ジェネレータ電源は、完全にカスタマイズされたパルス波形を生成して、接着性を高め、フィルムの均一性を向上させることができます。プラズマ源と基板加熱AIX G 5 HTの高性能プラズマ源と高度な基板加熱技術により、広範囲にわたるフィルムの化学的、構造的、機械的組成をより良く制御することができます。G5 HTのプラズマ源は、高速で信頼性の高いエッチングと蒸着プロセスを実現するのに十分な強力なものであり、これは先進的な半導体デバイスの生産にとって重要です。安全と規制の遵守AIXTRON AIX G5 HTは、関連する安全規制に完全に準拠して設計されています。さらに、原子炉は過圧と過圧であり、有害物質や蒸気の迅速な避難を可能にします。最後に、AIXTRON AIX G 5 HTはエネルギー効率のために設計されており、長いプロセス時間を確保するために半密封モードで動作することができます。
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