中古 AIXTRON AIX 2800 G4 #9412483 を販売中
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ID: 9412483
ウェーハサイズ: 4"
ヴィンテージ: 2010
MOCVD System, 4"
GaN Process
Epitaxy reactor
2010 vintage.
AIXTRON AIX 2800 G4は、さまざまな薄膜用途向けに設計された高性能で汎用性の高い超短パルスパルス蒸着炉です。AIXTRON AIX2800G4は、さまざまな条件で薄膜材料を迅速に沈着させるための強力なパルスエネルギーと迅速な反復速度を可能にする高度な技術とコンポーネントを備えています。AIX 2800G4は、短いパルスモードと透過モードで動作し、さまざまな基板サイズとジオメトリに設定することができます。AIX 2800 G 4は、高出力のマイクロ波発電機を誇り、パルス持続時間が1〜20マイクロ秒、反復速度が最大30kHzのスイッチング可能な400kWのピーク電力を備えています。高温発熱体により、基板は最大1100°Cのピーク温度に達することができます。この高温は、最適な膜厚と均一性を得る上で重要です。AIX2800G4は、圧力および温度制御、フラックス制御、およびオープンループ制御など、幅広いプロセス制御機能を提供します。原子炉は、周囲圧力と基板温度の変化による収差を補うシステムを構築しています。AIXTRON AIX 2800 G 4には、パルス蒸着プロセス中の基板温度と圧力安定性を確保するためのフィードバックシステムが内蔵されています。AIXTRON AIX 2800G4には2つの主要なプロセスチャンバーがあります。各チャンバーには2つの平面アンテナが装備されており、層移動、プラズマエッチング、RIEエッチング、成膜、フィルムパターニングなどのプロセスを可能にします。基板ホルダーは、幅広い基板サイズと形状に対応できるように設計されています。AIX 2800 G4は、ユーザーフレンドリーなナビゲーションとリアルタイムプロセス制御を備えたオンボードコンピュータも提供しています。制御システムにインストールされたソフトウェアパッケージを使用して、リアクターを遠隔操作することができます。また、画像処理機能を備えたデータ取得システムもサポートしています。AIXTRON AIX 2800 G4には、クランプや輸送システム、ガス入口、ガスサンプリングチューブ、漏れラインなどのアクセサリーが含まれています。AIXTRON AIX2800G4は、原子層成膜(ALD)、金属有機化学蒸着(MOCVD)、物理蒸着(PVD)などのプロセスに最適なさまざまな構成と条件で動作することができます。
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