中古 AIXTRON AIX 200 #148651 を販売中
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販売された
ID: 148651
ウェーハサイズ: 2"
LP-MOCVD system, 2"
For sophisticated heterostructures such as:
GaAs, InP, GaInAS, GaInAsP laser and multi quantum well structures
Single chamber: 2 x 2"
High purity gas blending system: tubing and components electropolished
MFC and electronic pressure regulators response time: 1.5 second
Temperature control for MO sources: better than 0.05°C
Susceptor for (2) 2" wafers
Uniform substrate temperature: maximum deviation 0.4°C / cm (1°C / inch)
Heating and cooling times: 10 minutes
Low pressure option: rotary pump with Fomblin oil and chemical oil filter
Switching time: 0.1 second
Process control: step programmable, 0.1 second increments
Gas velocities in the growth area: maximum 5 m/s (200 inch / s)
Total flow rate: standard up to 20 lpm
Process times for high output: 8 runs per 8 hour day possible
32 bit computer with floppy and hard disks
Safety interlock system operating even at computer down times
Glovebox.
AIXTRON AIX 200は、ドイツの半導体蒸着装置メーカーであるAIXTRON SEによって開発された、高度で汎用性の高い原子炉です。デュアルゾーン、高性能、自動化された分子ビームエピタキシー(MBE)装置で、材料に化合物を堆積させ、最高品質の半導体デバイスを製造するように特別に設計されています。AIX 200は、Open-Atmosphere MBE (OAMBE)またはUltra-High Vacuum (UHV) MBEを提供できます。蒸発、スパッタリング、化学蒸着(CVD)など、幅広い真空蒸着プロセスをサポートします。AIXTRON AIX 200は、水平および垂直の蒸着モードにも対応しており、III-V、 II-VI、その他様々な化合物など、幅広い材料の堆積が可能です。AIX 200にはAI XTECガスコントロールシステムが装備されており、優れたガス制御、真空制御を提供し、ガスの最大流量は300 sccm、微細流量は0。1 sccm以下で、より広範囲のガス供給オプションを提供します。AIXTECは、UHVモードとOAMBEモードの両方で、圧力レベルを正確に制御します。また、AIXTRON AIX 200には効率的な熱管理ユニットが搭載されており、高精度かつ高精度な温度設定が可能です。これは、AIX 200の先進的なin-situパウダーセットポイント予約および流通ユニットを通じて行われ、すべての基板およびコンポーネントが広範囲にわたって一貫していることを保証します。AIXTRON AIX 200には、入力ガス圧力、ガスRMS流量、蒸着温度、モニタリングシステム、蒸着時間などのパラメータユニットも調整可能です。AIX 200は、成膜速度と厚さを調整する機能を備え、長時間にわたって再現可能な成膜結果を生成することができるため、優れた精度と精度を提供します。そのワイヤーグリッド加熱機はさらに蒸着の精度と精度を高めます。さらに、AIXTRON AIX 200にはキネマティックマウントがあり、傾き、方位角、回転パラメータがすべて維持され、正確で再現性のある堆積結果が得られます。全体として、AIX 200は、優れた性能、再現可能な結果、およびトップレベルのガス制御および蒸着精度を提供する、半導体製造に最適です。AIXTRON AIX 200は、高品質で高精度な半導体コンポーネントを製造するための優れたオプションです。
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