中古 AIXTRON 2800 G4 HT #9037227 を販売中
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販売された
ID: 9037227
ヴィンテージ: 2009
MOCVD reactor, 42x2"
Spare Parts:
3 KK-3645-1 2 Inch OUT SEGMENT (6-1)
8 KK-3646-1 2 Inch OUT SEGMENT (6-5)
1 Part No : 40020129 Accessory, Vacuum-wand, D=40
1 4002599 Auflagering "Collector" G4
1 N/A Diffusion-Barrier
1 SPECIAL Exhaust Collector
2 KK-3262-1 Exhaust connection upper(2800 SLEEVE G4용)
2 4002599 Exhauststutzen*Unterteil*2800G4-HT
6 Part No : 90430009 7.52X3.53, EPDM G4 DOR source inner O-ring
7 88.49X3.53, EPDM G4 DOR source outer
2 KK-3714 G4 Quartz Ceiling
2 KK-3635-1 G4 Star Quartz
1 40041894 Gasket*6-fold*G3*25x2*Graphite foil
1 KK-3238 Pull Down Plate (tension_disc)
1 40021106 sapphire ring
5 40040126 Satellite Pin D=1,I=48
1SET(6EA) satellite 7X2" satellite (B Grade)
2 40015202 spacer*ceiling*D560*t=0,3*
22 DD-3271 Star, Outer Quartz Pin
1 4006471 Stutzrohr*6-fach*flammpoliert
1 41020315 Supporting Disc
4 KK-3270 Supporting Disk Pin 4Inch
208/120 V, 3 Ph, 50/60 Hz, 26 KVA
4-wire and ground
In production until Q1 2012
Currently installed in cleanroom
2009 vintage.
AIXTRON AIX 2800 G4 HT （Hot Target）は、様々な層のさまざまな材料を処理するために設計された高温化学蒸着（CVD）炉です。ラボレベルと量産に適したツールであり、生産ニーズに拡張可能なソリューションを提供しながら、信頼性と費用対効果の高い処理プラットフォームを提供します。この原子炉はAIXTRON AIN 2900 GOTO VUVプロセスチャンバーを使用しています。この設計は、幅広い動作範囲を提供し、950°Cまでの温度でさまざまな材料を処理することができます。これは、基板、サセプター、ガス噴射ノズルの独立した温度制御、正確な温度制御、ウェーハ全体の均一な温度分布によってサポートされています。プロセスチャンバーには、AIXTRON CVD反応ガスインジェクションシステムとAIXTRONプロセスコントロールソフトウェアが組み合わされており、様々な材料の堆積のための強力なツールとなっています。AIXTRON AIX 2800G4-HT内のCVDガス注入システムは、プロセス内で使用されるガスの量と種類を正確に制御するように設計されています。これにより、精密な化学濃度がチャンバーに導入され、制御された再現可能な蒸着プロセスが促進されます。AIX 2800G4 HTにはAIXTRON PECVD VUV/eV制御システムが搭載されており、蒸着とプロセスの終点を完全に制御できます。プロセス制御ソフトウェアは、堆積時間、温度、およびレートを設定するために使用でき、ウェーハ上の堆積層の均一性を監視することもできます。これにより、一貫した反復可能なプロセス結果が可能になり、エラーを最小限に抑えます。AIXTRON AIX 2800 G 4 HTは、様々な材料の加工に理想的な成膜炉であり、薄膜トランジスタや太陽電池などの複数の用途に適しています。また、タンデム蒸着プロセスを実行することができ、1つの処理サイクルに複数の層を堆積させることができるため、スループットと効率が向上します。
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