中古 TEL / TOKYO ELECTRON 19S #9281922 を販売中
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ID: 9281922
Prober
X-Y Stage
Stroke: 184mm x 382mm
Speed: 125mm/sec
Resolution: 0.25µm
Z Stage
Stroke: Max 15mm(50µm probing)
Speed: 62m/sec (up-down)
Resolution: 5.0µm
Angle of rotation: Max ±10
Control resolution: 0.52µm (0.000477)
Driving method: Stepping motor system utility
Air: 4.0kg/cm²
Min: 5l/min
Max: 30l
Vacuum: 400~700mm/hg
Ambient conditions:
Temperature: 25°C ±3°C
Humidity: 65%
Wafer size: 3"-6" diameter
Chip size: 250 - 99999µm
Wafer thickness: 300~1000µm
Direction of probing:X Axis
Overall accuracy:15µm Max/6"
Power: 220 VAC(+20% to 5%) 1.5kVA.
TEL/TOKYO ELECTRON 19Sは、半導体集積回路(IC)や機器オンチップ(SoC)などのナノスケール機器の特性評価・試験用に設計されたプローバです。このプローバは、故障解析、リバースエンジニアリング、歩留まり改善、信頼性解析、およびデバイスの詳細な外観検査を必要とするその他のアプリケーション向けに、マイクロスケールおよびナノスケールのデバイスの高解像度イメージング用のイメージキャプチャシステムを備えています。TEL 19Sは、高精度ベクトルネットワークアナライザ(VNA)とプログラマブルテストソケットを備えた高度な電気プロービングシステムを搭載し、幅広いデバイスの種類とサイズにわたる電気特性評価を提供します。また、無線周波数(RF)試験、光デバイス特性評価、回路タイミング解析用の光電子試験システムも追加されています。TOKYO ELECTRON 19 Sは、最大8台の試験ポジショナをサポートし、複数の同時ダイプロービング操作を可能にします。また、Proberのイメージキャプチャユニットは、自動2Dおよび3D測定、ズーム/パン初回失敗解析、関心領域(ROI)イメージング、エリアスキャンとステッチ、成膜厚さ測定、X線パターン比較などの高度なイメージング機能を提供します。19Sは、光学試験と電気試験の両方の機能を組み合わせることで、試験中のデバイスの性能を定量的に分析し、信頼性の高いデータと、その状態と構造の詳細な視覚的表現を提供することができます。TOKYO ELECTRON 19Sは、極低温をはじめとする幅広い温度範囲で動作するように設計されています。最新の温度測定機により、最大6つの温度ゾーンを同時に監視することができ、すべてのテストシステムで正確かつ再現性の高い温度測定が可能です。また、簡単なセットアップとプログラム開発のためにプローバも設計されており、お客様は最小限の労力でテストプログラムを迅速に作成および展開することができます。全体として、TEL/TOKYO ELECTRON 19 Sは、幅広いデバイスで電気および光電子の包括的なテストを提供できる高度なプローバです。19 Sは、高精度センサ、ベクトルネットワーク解析、イメージングシステムを1つのパッケージに組み込むことで、ナノスケール機器の特性評価と試験において、これまでにないレベルの精度と信頼性を提供します。
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