中古 ARENCO GaN #9234888 を販売中

ARENCO GaNは、パワーエレクトロニクスに高い電力密度と性能をもたらすように設計されたユニークで革新的な包装機器です。先進の窒化ガリウム（GaN）技術を採用しており、スイッチング速度の向上、オン抵抗の低減、全体的な効率の向上など、幅広い利点を備えています。ARENCO GaNの中核には、ハイエンド基板があります。この基質はガリウム、窒素およびアルミニウムの合金となされます。その結果、伝統的なパワーエレクトロニクスパッケージと比較して、熱抵抗が非常に低く、より効率的に熱を放散するのに役立ちます。基板はまた、電気絶縁の前例のないレベルを提供しています。これにより、システムを通る電流がパッケージ化された基板によって緩和されます。これは、信頼性の問題を引き起こす可能性のある短絡やその他の不要な放電を防ぐのに役立ちます。この基質の上には誘電体の層があります。これは、デバイスの高純度の断熱および電気絶縁を保証するように設計されています。顧客の要求に合わせて最適化されたカスタマイズされた金属化接点は、GaNデバイスと基板間のゲート、ソース、およびドレイン接続になります。全体的なユニットは、従来のシリコンベースのパッケージシステムと比較していくつかの利点があります。第一に、ARENCO GaN基板のスイッチング速度が高いため、パワートランスミッションが効率的になります。これにより、従来のパッケージシステムと比較して、軽量化、小型化、コスト効率の高いソリューションが実現します。また、従来のシステムよりも低い寄生インダクタンスと容量を提供し、工具のノイズや電磁干渉を低減します。これは、パワーエレクトロニクスの弱い信号アプリケーションに対処する場合に特に有益です。GaNは現在、いくつかの事前構成されたパッケージで利用可能であり、追加の設計作業を必要とせずに既存のシステムにすばやく統合することができます。これにより、この新しい革新的な技術への移行は非常に簡単になります。結論として、ARENCO GaNはパワーエレクトロニクスで使用できる画期的なパッケージ資産であり、電力密度、性能、効率を向上させます。合金化された窒化ガリウム基板、誘電層、カスタマイズ可能な金属化接点を独自に組み合わせたこのデバイスは、従来のシステムと比較して信頼性の向上と電気絶縁性の向上を提供します。利用可能なクイックインテグレーションオプションのおかげで、最小限の労力で送電機能を大幅にアップグレードできるようになりました。